초록 ▼

본 발명의 실시예에 따른 패턴 형성 방법은 기판 상에 제1 층을 형성하는 것, 상기 제1 층 상에 포토 레지스트 층을 형성하는 것, 상기 포토 레지스트 층의 일부를 제거하여 제1 방향으로 배열된 포토 레지스트 패턴들을 형성하되, 상기 포토 레지스트 패턴들의 각각은 상기 기판과 가까워질수록 좁은 상기 제1 방향의 폭을 갖는 것, 상기 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 제1 층을 식각하여 제1 패턴들을 형성하되, 상기 제1 패턴의 상면의 상기 제1 방향의 폭은 상기 포토 레지스트 패턴들의 하면의 상기 제1 방향의 폭에 비해 작은

본 발명의 실시예에 따른 패턴 형성 방법은 기판 상에 제1 층을 형성하는 것, 상기 제1 층 상에 포토 레지스트 층을 형성하는 것, 상기 포토 레지스트 층의 일부를 제거하여 제1 방향으로 배열된 포토 레지스트 패턴들을 형성하되, 상기 포토 레지스트 패턴들의 각각은 상기 기판과 가까워질수록 좁은 상기 제1 방향의 폭을 갖는 것, 상기 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 제1 층을 식각하여 제1 패턴들을 형성하되, 상기 제1 패턴의 상면의 상기 제1 방향의 폭은 상기 포토 레지스트 패턴들의 하면의 상기 제1 방향의 폭에 비해 작은 것, 상기 제1 패턴들의 사이에 상기 제1 패턴들과 이격된 제2 패턴을 형성하는 것 및 상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 것을 포함할 수 있다.

대표청구항 ▼

기판 상에 제1 층을 형성하는 것;상기 제1 층 상에 포토 레지스트 층을 형성하는 것;상기 포토 레지스트 층의 일부를 제거하여 제1 방향으로 배열된 포토 레지스트 패턴들을 형성하되, 상기 포토 레지스트 패턴들의 각각은 상기 기판과 가까워질수록 좁은 상기 제1 방향의 폭을 갖는 것;상기 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 제1 층을 식각하여 제1 패턴들을 형성하되, 상기 제1 패턴의 상면의 상기 제1 방향의 폭은 상기 포토 레지스트 패턴들의 하면의 상기 제1 방향의 폭에 비해 작은 것;상기 제1 패턴들의 사이에 상기 제1 패턴들

기판 상에 제1 층을 형성하는 것;상기 제1 층 상에 포토 레지스트 층을 형성하는 것;상기 포토 레지스트 층의 일부를 제거하여 제1 방향으로 배열된 포토 레지스트 패턴들을 형성하되, 상기 포토 레지스트 패턴들의 각각은 상기 기판과 가까워질수록 좁은 상기 제1 방향의 폭을 갖는 것;상기 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 제1 층을 식각하여 제1 패턴들을 형성하되, 상기 제1 패턴의 상면의 상기 제1 방향의 폭은 상기 포토 레지스트 패턴들의 하면의 상기 제1 방향의 폭에 비해 작은 것;상기 제1 패턴들의 사이에 상기 제1 패턴들과 이격된 제2 패턴을 형성하는 것; 및상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법.