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연합인증

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[한국특허] 뉴로모픽 시스템에서 뉴런 동작을 수행하는 수직형 트랜지스터의 구조와 동작 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템
structure and operation method of vertical-type transistor acting as a neuron in neuromorphic system, and a neuromorphic system using it
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IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-045/00
  • G06N-003/063
  • H01L-021/02
  • H01L-021/225
  • H01L-021/265
  • H01L-021/8234
  • H01L-029/06
  • H01L-029/66
  • H01L-029/732
출원번호 10-2020-0067970 (2020-06-05)
공개번호 10-2020-0141391 (2020-12-18)
등록번호 10-2374300-0000 (2022-03-10)
우선권정보 대한민국(KR) 1020190067919 (2019-06-10)
DOI http://doi.org/10.8080/1020200067970
발명자 / 주소
  • 최양규 / 대전광역시 유성구 대학로 *** (구성동, 한국과학기술원)
  • 한준규 / 대전광역시 유성구 대학로 *** (구성동, 한국과학기술원)
출원인 / 주소
  • 한국과학기술원 / 대전광역시 유성구 대학로 ***(구성동)
대리인 / 주소
  • 양성보
심사청구여부 있음 (2020-06-05)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 나노선 형태의 부유 바디층이 수직으로 형성된 수직형 트랜지스터에 전하를 저장 및 방출하여 뉴런의 스파이크 동작을 구현하는 수직형 트랜지스터의 구조와 동작 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템에 관한 것으로, 기판 상에 수직으로 형성된 수직 나노선(nanowire) 형태의 부유 바디층, 상기 부유 바디층 상하에 형성되는 소스 및 드레인, 상기 소스 상에 형성되어 상기 부유 바디층을 둘러싸는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막의 외곽에 형성되는 게이트 및 상기 소스, 상기 드레인 및 상기 게이트에 접촉되어 전기적 신호를 입력

대표청구항

기판 상에 수직으로 형성된 수직 나노선(nanowire) 형태의 부유 바디층;상기 부유 바디층 상하에 형성되는 소스 및 드레인;상기 소스 상에 형성되어 상기 부유 바디층을 둘러싸는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막의 외곽에 형성되는 게이트; 및상기 소스, 상기 드레인 및 상기 게이트에 접촉되어 전기적 신호를 입력 또는 출력하는 컨택 메탈을 포함하되,이전 시냅스 소자에서 상기 소스 또는 상기 드레인으로 전류 신호가 인가되면 전하가 상기 부유 바디층 내부에 저장되며, 저장된 전하의 양이 임계치 이상이 되면, 저장된 전하가 상기 부유 바

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (4) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. [한국] 커패시터리스 디램 및 그의 제조 및 동작방법 | 진영구, 신재광
  2. [한국] 수직 트랜지스터 및 그의 제작 방법 | 디아즈 칼로스 에이치, 왕 치 하오, 린 와이 이, 양 카이 치, 탕 하오 링
  3. [한국] 저메늄 기반 수직형 게이트리스 및 커패시터리스 디램 셀 및 그 제조 방법 | 최양규, 배학열, 박준영
  4. [한국] 뉴로모픽 시스템 응용을 위한 시냅스 장치 | 황현상, 이대석

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