초록 ▼

본 발명은 리튬 과잉 층상계 산화물(overlithiated layered oxide, OLO)을 포함하는 양극활물질에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 하기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물(overlithiated layered oxide, OLO); 및 상기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물 표면에 비정질 유리 산화물의 비정질 유리 산화물 코팅층;을 포함한다. [화학식 1] rLi2MnO3·(1-r)LiaNixCoyMnzM11-(x+y+z)O2(상기 화학식 1에서 0<r≤0.6, 0<a≤1,

본 발명은 리튬 과잉 층상계 산화물(overlithiated layered oxide, OLO)을 포함하는 양극활물질에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 하기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물(overlithiated layered oxide, OLO); 및 상기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물 표면에 비정질 유리 산화물의 비정질 유리 산화물 코팅층;을 포함한다. [화학식 1] rLi2MnO3·(1-r)LiaNixCoyMnzM11-(x+y+z)O2(상기 화학식 1에서 0<r≤0.6, 0<a≤1, 0≤x≤1, 0≤y<1, 0≤z<1, 및 0<x+y+z<1 이고, 상기 M1은 Na, K, Mg, Al, Fe, Cr, Y, Sn, Ti, B, P, Zr, Ru, Nb, W, Ba, Sr,La, Ga, Mg, Gd, Sm, Ca, Ce, Fe, Al, Ta, Mo, Sc, V, Zn, Cu, In, S, B , Ge, Si 및 Bi 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상임).

대표청구항 ▼

하기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물(overlithiated layered oxide, OLO); 및상기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물 표면에 비정질 유리 산화물 코팅층;을 포함하고, 1차 입자가 응집되어 2차 입자를 형성하고,크기가 300 nm 내지 10 μm인 1차 입자가 상기 2차 입자를 구성하는 1차 입자 중에 50 내지 100 부피% 인, 이차전지용 양극활물질:[화학식 1] rLi2MnO3·(1-r)LiaNixCoyMnzM11-(x+y+z)O2(상기 화학식 1에서 0<r≤0.6, 0&l

하기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물(overlithiated layered oxide, OLO); 및상기 화학식 1로 표시되는 리튬 과잉 층상계 산화물 표면에 비정질 유리 산화물 코팅층;을 포함하고, 1차 입자가 응집되어 2차 입자를 형성하고,크기가 300 nm 내지 10 μm인 1차 입자가 상기 2차 입자를 구성하는 1차 입자 중에 50 내지 100 부피% 인, 이차전지용 양극활물질:[화학식 1] rLi2MnO3·(1-r)LiaNixCoyMnzM11-(x+y+z)O2(상기 화학식 1에서 0<r≤0.6, 0<a≤1, 0≤x≤1, 0≤y<1, 0≤z<1, 및 0<x+y+z<1 이고, 상기 M1은 Na, K, Mg, Al, Fe, Cr, Y, Sn, Ti, B, P, Zr, Ru, Nb, W, Ba, Sr, La, Ga, Mg, Gd, Sm, Ca, Ce, Fe, Al, Ta, Mo, Sc, V, Zn, Cu, In, S, B, Ge, Si 및 Bi 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상임).