본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 리튬 복합 금속 산화물; 및 상기 리튬 복합 금속 산화물 표면에 형성되고, 상기 리튬 복합 금속 산화물에 비해 코발트 함량이 높은 코발트-리치층(Cobalt-rich layer)을 포함하는 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법에 관한 것이다. [화학식 1]Li1+x[NiaCobMncMd]1-xO2-yXy상기 화학식 1에서, 0.7<a<1, 0<b<0.3, 0<c<0.1, 0<d<0.1, a+b+c+d=1, 0≤x≤0.05, 0≤y≤0.2이고, M은 Al
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 리튬 복합 금속 산화물; 및 상기 리튬 복합 금속 산화물 표면에 형성되고, 상기 리튬 복합 금속 산화물에 비해 코발트 함량이 높은 코발트-리치층(Cobalt-rich layer)을 포함하는 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법에 관한 것이다. [화학식 1]Li1+x[NiaCobMncMd]1-xO2-yXy상기 화학식 1에서, 0.7<a<1, 0<b<0.3, 0<c<0.1, 0<d<0.1, a+b+c+d=1, 0≤x≤0.05, 0≤y≤0.2이고, M은 Al, Mg, Ge, V, Mo, Nb, Si, Ti, Zr 및 W로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속 원소이며, X는 P 또는 F임.
대표청구항▼
니켈-코발트 전구체, 망간 함유 원료 물질, M 함유 원료 물질, 및 리튬 함유 원료 물질을 혼합하고, 600℃ 내지 900℃에서 소성하여 하기 화학식 1로 표시되는 리튬 복합 금속 산화물을 준비하는 단계; [화학식 1]Li1+x[NiaCobMncMd]1-xO2-yXy(상기 화학식 1에서, 0.8≤a≤0.95, 0.01≤b<0.2, 0<c<0.1, 0<d<0.1, a+b+c+d=1, 0≤x≤0.05, 0≤y≤0.2이고, M은 Al, Mg, Ge, V, Mo, Nb, Si, Ti, Zr 및 W로 이루어진 군
니켈-코발트 전구체, 망간 함유 원료 물질, M 함유 원료 물질, 및 리튬 함유 원료 물질을 혼합하고, 600℃ 내지 900℃에서 소성하여 하기 화학식 1로 표시되는 리튬 복합 금속 산화물을 준비하는 단계; [화학식 1]Li1+x[NiaCobMncMd]1-xO2-yXy(상기 화학식 1에서, 0.8≤a≤0.95, 0.01≤b<0.2, 0<c<0.1, 0<d<0.1, a+b+c+d=1, 0≤x≤0.05, 0≤y≤0.2이고, M은 Al, Mg, Ge, V, Mo, Nb, Si, Ti, Zr 및 W로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속 원소이며, X는 P 또는 F임.)상기 리튬 복합 금속 산화물을 수세하는 단계; 및상기 수세된 리튬 복합 금속 산화물과 코발트 함유 원료 물질을 혼합한 후 0.5 ~ 10L/min의 유량으로 산소를 공급하면서 700℃ 이상 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법이며,상기 이차 전지용 양극 활물질은. 상기 화학식 1로 표시되는 리튬 복합 금속 산화물; 및 상기 리튬 복합 금속 산화물 표면에 형성되는 코발트-리치층(Cobalt-rich layer)을 포함하고, 상기 코발트-리치층 내의 니켈, 코발트, 망간 및 M의 원자 개수의 합에 대한 코발트의 원자 개수의 비가 상기 리튬 복합 금속 산화물 내의 니켈, 코발트, 망간 및 M의 원자 개수의 합에 대한 코발트의 원자 개수의 비보다 큰 것인 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법.
발명자의 다른 특허 :
연구과제 타임라인
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이 특허에 인용된 특허 (3)
[한국]
알루미늄으로 건식 코팅되고 열처리된 캐소드 물질 전구체 화합물 및 그 제조방법 |
폴센, 젠스,
김지혜,
홍헌표
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