[특허]질소면 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법

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[한국특허] 질소면 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
NITROGEN SURFACE NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-029/66 H01L-021/02 H01L-021/18 H01L-029/20 H01L-029/778
출원번호	10-2020-0094390 (2020-07-29)
공개번호	10-2022-0014596 (2022-02-07)
등록번호	10-2373363-0000 (2022-03-07)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020200094390
발명자 / 주소	김종민 / 경기도 수원시 영통구 영통로 *, 동 **호(영통동, 황골마을주공단지아파트) 조주영 / 경기도 수원시 영통구 효원로 *, 동 ***호 (매탄동, 매탄위브하늘채)
출원인 / 주소	(재)한국나노기술원 / 경기도 수원시 영통구 광교로 **, 한국나노기술원연구벤처동 제호(이의동)
대리인 / 주소	특허법인(유한) 다래
심사청구여부	있음 (2020-07-29)
심사진행상태	등록결정(재심사후)
법적상태	등록

초록 ▼

본 발명은 질소면 극성을 가지는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)를 용이하게 구현하기 위한 질소면 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상기 제조방법은 기판 상부에 질화갈륨 버퍼층을 성장시키는 단계와, 상기 질화갈륨 버퍼층 상부에 분리층을 형성하는 단계와, 상기 분리층 상부에 갈륨면 극성을 가지는 복수의 질화갈륨계 이종접합층을 적층하여 HEMT 구조체를 형성하는 단계와, 패시베이션층이 증착된 지지기판을 상기 HEMT 구조체 상부에 본딩하는 단계와, 상기 HEMT 구조체를 상기 분리층으로부터 분리하는 단계와, 분리된

대표청구항

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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