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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0098484 (2020-08-06) | |
등록번호 | 10-2253210-0000 (2021-05-12) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200098484 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-08-06) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
전하 포획층을 가지는 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서 및 이의 제조 방법이 개시된다.일 실시예에 따른 초음파 트랜스듀서는, 기판과, 상기 기판 위에 형성된 산화막과, 상기 산화막의 일부가 식각된 영역에 형성되는 공극과, 상기 산화막의 상부에 적층되어 상기 공극을 덮는 멤브레인과, 상기 식각된 영역에 적층되는 전하 포획층을 포함하고, 상기 전하 포획층은, 일부는 상기 공극의 내부에 삽입되고 다른 일부는 상기 공극의 외부로 연장되는 전극층을 포함한다.
기판;상기 기판 위에 형성된 산화막;상기 산화막의 일부가 식각된 영역에 형성되는 공극;상기 산화막의 상부에 적층되어 상기 공극을 덮는 멤브레인;상기 식각된 영역에 적층되는 전하 포획층을 포함하고,상기 전하 포획층은,일부는 상기 공극의 내부에 삽입되고, 다른 일부는 상기 공극의 외부로 연장되어 상기 멤브레인에 덮이지 않아 상부가 개방되는 전극층을 포함하고,상기 공극은,상기 전극층 및 상기 멤브레인 위에 증착된 공극 밀폐 물질을 통해 고진공 상태로 밀폐하는, 초음파 트랜스듀서.
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