초록 ▼

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 이종원소가 도핑된 LLZO 고체전해질에 관한 것으로, 본 발명의 이종원소가 도핑된 고체전해질, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법은 가넷 LLZO 고체전해질에 이종원소를 도핑함으로써, Cubic 결정성 향상 및 소결성 향상에 의해 이온전도성이 향상되는 효과가 있다.[화학식 1]LixM1aLay(M2b)pZrz(M3c)qO12M1은 Li 사이트(site)에 도핑된 것이고, 갈륨(Ga) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고, M2는 La 사이트

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 이종원소가 도핑된 LLZO 고체전해질에 관한 것으로, 본 발명의 이종원소가 도핑된 고체전해질, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법은 가넷 LLZO 고체전해질에 이종원소를 도핑함으로써, Cubic 결정성 향상 및 소결성 향상에 의해 이온전도성이 향상되는 효과가 있다.[화학식 1]LixM1aLay(M2b)pZrz(M3c)qO12M1은 Li 사이트(site)에 도핑된 것이고, 갈륨(Ga) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고, M2는 La 사이트(site)에 도핑된 것이고, 루비듐(Rb) 또는 이트륨(Y)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고,M3는 Zr 사이트(site)에 도핑된 것이고, 탄탈륨(Ta)이고,5≤x<9, 2≤y≤4, 1≤z≤3, 0<a≤1, 0<b≤1, 0<c≤1 이고,p는 0 또는 1이고,q는 0 또는 1이고,p+q≠0 이다.

대표청구항

하기 화학식 2로 표시되는 이종원소가 도핑된 LLZO 고체전해질.[화학식 2]LixM1aLayM2bZrzO12M1은 Li 사이트(site)에 도핑된 것이고, 갈륨(Ga) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고, M2는 La 사이트(site)에 도핑된 것이고, 루비듐(Rb)이고,5≤x<9, 2≤y≤4, 1≤z≤3, 0<a≤1, 0<b≤1이다.

하기 화학식 2로 표시되는 이종원소가 도핑된 LLZO 고체전해질.[화학식 2]LixM1aLayM2bZrzO12M1은 Li 사이트(site)에 도핑된 것이고, 갈륨(Ga) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고, M2는 La 사이트(site)에 도핑된 것이고, 루비듐(Rb)이고,5≤x<9, 2≤y≤4, 1≤z≤3, 0<a≤1, 0<b≤1이다.