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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0110533 (2020-08-31) | |
공개번호 | 10-2022-0028902 (2022-03-08) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200110533 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-08-31) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 2차원 전자채널에서의 전자 농도를 증가시킬 수 있는 이종접합 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로,본 발명의 실시예에 따른 이종접합 전계효과 트랜지스터는,기판; 상기 기판 상에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되며, 2차원 전자채널을 포함하는 채널층; 상기 채널층 상에 형성되며, 상기 채널층과의 경계면에 상기 2차원 전자채널이 형성되도록 유도하는 장벽층; 상기 장벽층 상에 서로 이격되어 형성되는 소스 전극, 게이트 전극, 및 드레인 전극; 상기 장벽층 상에 형성되며, 상기 소스 전극과 상기 게이트 전극, 상기 게이트 전
기판;상기 기판 상에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되며, 2차원 전자채널을 포함하는 채널층;상기 채널층 상에 형성되며, 상기 채널층과의 경계면에 상기 2차원 전자채널이 형성되도록 유도하는 장벽층;상기 장벽층 상에 서로 이격되어 형성되는 소스 전극, 게이트 전극, 및 드레인 전극;상기 장벽층 상에 형성되며, 상기 소스 전극과 상기 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 질화알루미늄(AlN)이 원자층 증착방식(ALD)으로 증착되어 형성된 ALD-AlN층을 포함하는 이종접합 전계효과 트랜지스터.
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