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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0130584 (2020-10-08) | |
공개번호 | 10-2022-0047086 (2022-04-15) | |
등록번호 | 10-2460354-0000 (2022-10-25) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200130584 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-10-08) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
IGZO 폐타겟으로부터 아연, 인듐 및 갈륨의 회수 방법이 제공된다. 상기 방법은, 인듐갈륨아연산화물로 조성된 폐타겟을 분쇄하여 분쇄물을 생성하는 단계; 상기 분쇄물에 촉매제를 추가하여 혼합물을 생성하는 단계; 상기 혼합물의 수분을 제거하기 위해 가열하는 단계; 열처리된 상기 혼합물에 환원제를 첨가하여 적층하는 단계; 상기 혼합물이 노출되지 않도록 상기 환원제를 이용하여 보호층을 형성하는 단계; 상기 혼합물에 불활성 가스를 투입하는 단계; 및 900℃ 내지 1400℃온도로 가열하여 인듐 및 갈륨을 선택적으로 분리하여 회수온도에 따라
인듐갈륨아연산화물로 조성된 폐타겟을 분쇄하여 분쇄물을 생성하는 단계;상기 분쇄물에 촉매제를 추가하여 혼합물을 생성하는 단계;상기 혼합물의 수분을 제거하기 위해 가열하는 단계;열처리된 상기 혼합물에 환원제를 첨가하여 적층하는 단계;상기 혼합물이 노출되지 않도록 상기 환원제를 이용하여 보호층을 형성하는 단계;상기 혼합물에 불활성 가스를 투입하는 단계; 및900℃ 내지 1200℃온도로 가열하여 인듐 및 갈륨을 선택적으로 분리하여 회수온도에 따라 순차적으로 회수하는 단계;를 포함하되,상기 인듐이 추출되는 회수온도는 1000℃ 내지 1100
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