초록 ▼

본 발명은 고온에서 입자성장억제 성질을 가지는 금속산화물 나노선을 제작하여 열적 안정성을 갖는 고기능성 센서, 촉매 및 기기에 응용 가능한 비-화학량론적 비결정질 금속산화물 나노구조체 제조 방법에 관한 것으로서, 마스터 패턴이 형성된 마스터 기판 상에 연성 물질을 제공하는 단계, 상기 연성 물질을 상기 마스터 기판으로부터 분리하여 상기 마스터 패턴의 역상을 갖는 베이스 패턴을 포함하는 베이스 기판을 형성하는 단계, 상기 베이스 패턴 상에 금속산화물의 목표 물질을 증착하는 단계 및 상기 목표 물질이 도포된 상기 베이스 기판을 타깃 기

본 발명은 고온에서 입자성장억제 성질을 가지는 금속산화물 나노선을 제작하여 열적 안정성을 갖는 고기능성 센서, 촉매 및 기기에 응용 가능한 비-화학량론적 비결정질 금속산화물 나노구조체 제조 방법에 관한 것으로서, 마스터 패턴이 형성된 마스터 기판 상에 연성 물질을 제공하는 단계, 상기 연성 물질을 상기 마스터 기판으로부터 분리하여 상기 마스터 패턴의 역상을 갖는 베이스 패턴을 포함하는 베이스 기판을 형성하는 단계, 상기 베이스 패턴 상에 금속산화물의 목표 물질을 증착하는 단계 및 상기 목표 물질이 도포된 상기 베이스 기판을 타깃 기판과 접촉시켜, 상기 목표 물질을 동시에 상기 타깃 기판 상에 전사하여 나노선(nanowire)을 제조하는 단계를 포함한다.

대표청구항 ▼

마스터 패턴이 형성된 마스터 기판 상에 연성 물질을 제공하는 단계;상기 연성 물질을 상기 마스터 기판으로부터 분리하여 상기 마스터 패턴의 역상을 갖는 베이스 패턴을 포함하는 베이스 기판을 형성하는 단계;상기 베이스 패턴 상에 금속산화물의 목표 물질을 증착하는 단계; 및상기 목표 물질이 도포된 상기 베이스 기판을 타깃 기판과 접촉시켜, 상기 목표 물질을 동시에 상기 타깃 기판 상에 전사하여 나노선(nanowire)을 제조하는 단계를 포함하되,금속산화물의 상기 목표 물질이 상기 베이스 패턴 상에 증착될 때 비결정질 산소 비율을 조절하는

마스터 패턴이 형성된 마스터 기판 상에 연성 물질을 제공하는 단계;상기 연성 물질을 상기 마스터 기판으로부터 분리하여 상기 마스터 패턴의 역상을 갖는 베이스 패턴을 포함하는 베이스 기판을 형성하는 단계;상기 베이스 패턴 상에 금속산화물의 목표 물질을 증착하는 단계; 및상기 목표 물질이 도포된 상기 베이스 기판을 타깃 기판과 접촉시켜, 상기 목표 물질을 동시에 상기 타깃 기판 상에 전사하여 나노선(nanowire)을 제조하는 단계를 포함하되,금속산화물의 상기 목표 물질이 상기 베이스 패턴 상에 증착될 때 비결정질 산소 비율을 조절하는 단계를 더 포함하며,상기 산소 비율을 조절하는 단계는상기 목표 물질의 산화도 및 상태 변화, 그리고 증착 환경 압력 및 산소양 조절을 통해 비결정질의 산소비율을 조절하고, 상기 나노선을 제조하는 단계는 상기 나노선(nanowire)을 약 10nm 내지 약 20nm의 입자 크기로 제조하여 불순물 없이 약 500도 내지 약 900도의 고온에서도 입자성장억제 성질을 가지는 금속산화물 나노구조체를 제조하는 것을 특징으로 하는, 비-화학량론적 비결정질 금속산화물 나노구조체 제조 방법.