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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2020-0146948 (2020-11-05) | |
| 공개번호 | 10-2022-0060856 (2022-05-12) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020200146948 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 법적상태 | 공개 |
본 발명은 밀도 함수 이론 또는 강 결합 방법을 이용하여 반도체 소자의 해밀토니언 및 중첩 매트릭스를 추출하는 것, 유효 에너지 영역에 내에서 상기 해밀토니언, 상기 중첩 매트릭스 및 에너지-파수 관계식에 기초하여 해당 에너지 각각에 대한 블로흐 스테이트들을 각각 산출하는 것, 상기 블로흐 스테이트들을 표현하는 매트릭스를 직교화한 변환 매트릭스에 상기 해밀토니언 및 상기 중첩 매트릭스를 적용하여 매트릭스 사이즈가 줄어든 제1 축소 해밀토니언 및 제1 축소 중첩 매트릭스를 얻는 것; 및 상기 해밀토니언 및 상기 중첩 매트릭스에 기초하
밀도 함수 이론(density functional theory; DFT) 또는 강 결합 방법(tight-binding(TB) method; TB 방법)을 이용하여 반도체 소자의 해밀토니언(Hamiltonian) 및 중첩 매트릭스를 추출하는 것;유효 에너지 영역에 내에서 상기 해밀토니언, 상기 중첩 매트릭스 및 에너지-파수 관계식에 기초하여 해당 에너지 각각에 대한 블로흐 스테이트들(Bloch states)을 각각 산출하는 것;상기 블로흐 스테이트들을 표현하는 매트릭스를 직교화(orthonormalization)한 변환 매트릭스에 상
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