본 발명은 하기 화학식 1로 표현되는 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다:[화학식 1].
대표청구항▼
하기 화학식 1로 표현되는 캡핑층용 화합물:[화학식 1][화학식 1-1][화학식 1-2][화학식 1-3](상기 화학식 1, 화학식 1-1, 화학식 1-2 및 화학식 1-3에서,Ar1 내지 Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치횐된 C2~C50의 헤테로아릴기이되, Ar1 내지 Ar3 중 2개 이상은 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 2종 이상의 화학식으로부터 선택된 서로 다른 치환기이며,X1 내지 X7은 각각 독립적으로 C, CR, O, S, N, Se, Te, NR, CRR`,
하기 화학식 1로 표현되는 캡핑층용 화합물:[화학식 1][화학식 1-1][화학식 1-2][화학식 1-3](상기 화학식 1, 화학식 1-1, 화학식 1-2 및 화학식 1-3에서,Ar1 내지 Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치횐된 C2~C50의 헤테로아릴기이되, Ar1 내지 Ar3 중 2개 이상은 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 2종 이상의 화학식으로부터 선택된 서로 다른 치환기이며,X1 내지 X7은 각각 독립적으로 C, CR, O, S, N, Se, Te, NR, CRR`, SiRR`, 또는 GeRR`이고,R, R` 및 R1은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며, 인접한 R 및 R`끼리, 복수의 R끼리, 복수의 R1끼리 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있고,L1 내지 L3은 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이며,l은 0 내지 4의 정수이고, *는 L1, L2 또는 L3에 결합되는 위치이되, L1 내지 L3이 직접결합인 경우 화학식 1의 N에 결합되는 위치이다).
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