[특허]InP 기판을 이용한 소자 제조 방법

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[한국특허] InP 기판을 이용한 소자 제조 방법
Methods of fabricating device using InP substrate 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/308 H01L-021/285 H01L-021/306 H01L-021/3065 H01L-021/768 H01L-029/20 H01L-029/66
출원번호	10-2020-0148527 (2020-11-09)
등록번호	10-2300920-0000 (2021-09-06)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020200148527
발명자 / 주소	이종원 / 대전광역시 유성구 대학로 * 김영수 / 대전광역시 유성구 대학로 * 임성규 / 대전광역시 유성구 대학로 * 노길선 / 대전광역시 유성구 대학로 *
출원인 / 주소	한국과학기술원 / 대전광역시 유성구 대학로 ***(구성동)
대리인 / 주소	이인행; 김한; 김남식
심사청구여부	있음 (2020-11-09)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록

본 발명은 InP 기판을 준비하는 단계; 상기 InP 기판 상에 SiO2층을 형성하는 단계; 상기 SiO2층 상에 Cr층을 형성하는 단계; 상기 Cr층 상에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 이용하여 상기 Cr층을 식각하여 Cr패턴을 형성하는 단계; 상기 Cr패턴을 마스크로 이용하여 상기 SiO2층을 식각하여 SiO2패턴을 형성하는 단계; 및 상기 SiO2패턴을 마스크로 이용하여 상기 InP 기판을 식각하여 비아홀을 형성하는 단계;를 포함하는 InP 기판을 이용한 소자 제조 방법을 제공한다.

대표청구항

InP 기판을 준비하는 단계;상기 InP 기판 상에 SiO2층을 형성하는 단계;상기 SiO2층 상에 Cr층을 형성하는 단계;상기 Cr층 상에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트패턴을 마스크로 이용하여 상기 Cr층을 식각하여 Cr패턴을 형성하는 단계;상기 Cr패턴을 마스크로 이용하여 상기 SiO2층을 식각하여 SiO2패턴을 형성하는 단계; 및상기 SiO2패턴을 마스크로 이용하여 상기 InP 기판을 식각하여 비아홀을 형성하는 단계;를 포함하는,InP 기판을 이용한 소자 제조 방법.

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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