최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2020-0148873 (2020-11-09) | |
공개번호 | 10-2022-0063027 (2022-05-17) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200148873 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 공개 |
바이리스터 소자와 그 제조 방법 및 바이리스터 소자를 포함하는 휘발성 메모리 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 바이리스터 소자는 제 1 도전형의 제 1 도펀트가 도핑된 제 1 단결정 실리콘을 포함하는 컬렉터, 상기 컬렉터 상에 구비된 것으로 제 2 도전형의 제 2 도펀트가 도핑된 실리콘계 화합물 반도체를 포함하고, 상기 실리콘계 화합물 반도체는 상기 제 1 단결정 실리콘과 이종접합을 형성하는 베이스, 상기 베이스 상에 구비된 것으로 상기 제 1 도전형의 제 3 도펀트가 도핑된 제 2 단결정 실리콘을 포함하는 버퍼층 및 상기 버퍼층
제 1 도전형의 제 1 도펀트가 도핑된 제 1 단결정 실리콘을 포함하는 컬렉터; 상기 컬렉터 상에 배치되고, 상기 제 1 도전형과 반대의 제 2 도전형의 제 2 도펀트가 도핑된 실리콘계 화합물 반도체를 포함하고, 상기 실리콘계 화합물 반도체는 상기 제 1 단결정 실리콘과 이종접합(heterojunction)을 형성하는 베이스; 상기 베이스 상에 배치되고, 상기 제 1 도전형의 제 3 도펀트가 도핑된 제 2 단결정 실리콘을 포함하는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 배치되고, 상기 제 1 도전형의 제 4 도펀트가 도핑된 폴리 실리콘을 포
해당 특허가 속한 카테고리에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.