최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2020-7005973 (2020-02-28) | |
공개번호 | 10-2020-0027567 (2020-03-12) | |
등록번호 | 10-2371040-0000 (2022-03-02) | |
우선권정보 | 미국(US) 15/671,895 (2017-08-08) | |
국제출원번호 | PCT/US2018/041678 (2018-07-11) | |
국제공개번호 | WO 2019/032234 (2019-02-14) | |
번역문제출일자 | 2020-02-28 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020207005973 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2020-02-28) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명에 따른 몇몇 실시예들은 웨이퍼의 표면을 폴리싱 하도록 구성된 폴리싱 메커니즘을 가진 장치를 포함한다. 폴리싱 메커니즘은 폴리싱 공정 동안 새로운 슬러리를 사용된 슬러리로 변환시킨다. 하나 이상의 이미터는 전자기 방사선을 사용된 슬러리에 또는 사용된 슬러리를 통해 안내하도록 구성된다. 하나 이상의 디텍터는 사용된 슬러리로부터 전자기 방사선의 반사율 또는 사용된 슬러리를 통과하는 전자기 방사선의 투과율을 탐지하도록 구성된다. 식별 시스템이 하나 이상의 디텍터와 결합되며 폴리싱 공정의 종점에 도달했는지를 나타내는 사용된 슬러리의
장치에 있어서, 상기 장치는: 폴리싱 공정 동안 웨이퍼의 표면을 폴리싱하도록 구성된 폴리싱 메커니즘으로서, 상기 웨이퍼의 표면은 표면 영역을 가지며, 상기 웨이퍼는 표면 탄소 농도를 가지는 상측 표면을 가지는 베이스와 상기 베이스의 상기 상측 표면 상의 구조물로서 상기 표면 탄소 농도보다 낮은 탄소 농도를 가지는 상기 구조물을 포함하며, 상기 폴리싱 메커니즘은 폴리싱 공정 동안 웨이퍼의 표면에 1 제곱 인치당 파운드(psi) 또는 이보다 작은 수직력을 제공하며, 폴리싱 메커니즘은 폴리싱 공정 동안 새로운 슬러리를 사용된 슬러리로 변
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.