초록 ▼

본 발명에 따른 몇몇 실시예들은 웨이퍼의 표면을 폴리싱 하도록 구성된 폴리싱 메커니즘을 가진 장치를 포함한다. 폴리싱 메커니즘은 폴리싱 공정 동안 새로운 슬러리를 사용된 슬러리로 변환시킨다. 하나 이상의 이미터는 전자기 방사선을 사용된 슬러리에 또는 사용된 슬러리를 통해 안내하도록 구성된다. 하나 이상의 디텍터는 사용된 슬러리로부터 전자기 방사선의 반사율 또는 사용된 슬러리를 통과하는 전자기 방사선의 투과율을 탐지하도록 구성된다. 식별 시스템이 하나 이상의 디텍터와 결합되며 폴리싱 공정의 종점에 도달했는지를 나타내는 사용된 슬러리의

본 발명에 따른 몇몇 실시예들은 웨이퍼의 표면을 폴리싱 하도록 구성된 폴리싱 메커니즘을 가진 장치를 포함한다. 폴리싱 메커니즘은 폴리싱 공정 동안 새로운 슬러리를 사용된 슬러리로 변환시킨다. 하나 이상의 이미터는 전자기 방사선을 사용된 슬러리에 또는 사용된 슬러리를 통해 안내하도록 구성된다. 하나 이상의 디텍터는 사용된 슬러리로부터 전자기 방사선의 반사율 또는 사용된 슬러리를 통과하는 전자기 방사선의 투과율을 탐지하도록 구성된다. 식별 시스템이 하나 이상의 디텍터와 결합되며 폴리싱 공정의 종점에 도달했는지를 나타내는 사용된 슬러리의 특성을 식별하도록 구성된다. 제어 회로가 식별 시스템과 결합되며 식별 시스템으로부터 트리거를 수용했는 지에 따라 폴리싱 공정을 중지하도록 구성된다. 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예들은 폴리싱 방법들을 포함한다.

대표청구항 ▼

장치에 있어서, 상기 장치는: 폴리싱 공정 동안 웨이퍼의 표면을 폴리싱하도록 구성된 폴리싱 메커니즘으로서, 상기 웨이퍼의 표면은 표면 영역을 가지며, 상기 웨이퍼는 표면 탄소 농도를 가지는 상측 표면을 가지는 베이스와 상기 베이스의 상기 상측 표면 상의 구조물로서 상기 표면 탄소 농도보다 낮은 탄소 농도를 가지는 상기 구조물을 포함하며, 상기 폴리싱 메커니즘은 폴리싱 공정 동안 웨이퍼의 표면에 1 제곱 인치당 파운드(psi) 또는 이보다 작은 수직력을 제공하며, 폴리싱 메커니즘은 폴리싱 공정 동안 새로운 슬러리를 사용된 슬러리로 변

장치에 있어서, 상기 장치는: 폴리싱 공정 동안 웨이퍼의 표면을 폴리싱하도록 구성된 폴리싱 메커니즘으로서, 상기 웨이퍼의 표면은 표면 영역을 가지며, 상기 웨이퍼는 표면 탄소 농도를 가지는 상측 표면을 가지는 베이스와 상기 베이스의 상기 상측 표면 상의 구조물로서 상기 표면 탄소 농도보다 낮은 탄소 농도를 가지는 상기 구조물을 포함하며, 상기 폴리싱 메커니즘은 폴리싱 공정 동안 웨이퍼의 표면에 1 제곱 인치당 파운드(psi) 또는 이보다 작은 수직력을 제공하며, 폴리싱 메커니즘은 폴리싱 공정 동안 새로운 슬러리를 사용된 슬러리로 변환시키는, 상기 폴리싱 메커니즘; 사용된 슬러리가 상기 표면 영역 외부에 있는 동안 전자기 방사선을 사용된 슬러리에 또는 사용된 슬러리를 통해 안내하도록 구성된 하나 이상의 이미터; 사용된 슬러리로부터 전자기 방사선의 반사율(reflection) 또는 사용된 슬러리를 통과하는 전자기 방사선의 투과율(transmittance)을 탐지하도록 구성된 하나 이상의 디텍터; 하나 이상의 디텍터와 결합되고 폴리싱 공정의 종점에 도달했는지를 나타내는 사용된 슬러리의 특성을 식별하도록 구성되며 사용된 슬러리의 적어도 하나의 특성을 식별했을 때 트리거를 보내도록 구성된 식별 시스템 - 상기 적어도 하나의 특성은 상기 사용된 슬러리 내의 탄소의 존재를 포함함 - 및 상기 식별 시스템과 결합되며 상기 식별 시스템으로부터 트리거를 수용했는 지에 따라 폴리싱 공정을 중지하도록 구성된 제어 회로를 포함하는, 장치.