초록 ▼

Li, P, S 및 할로겐(Ha)으로 이루어지는, 입방정계 Argyrodite형 결정 구조의 결정상을 갖는 황화물계 고체 전해질 입자에 관한 것으로서, 양극 활물질 입자 또는 음극 활물질 입자와의 사이에 양호한 접촉 상태를 확보할 수 있고, 레이트 특성 및 사이클 특성의 가일층의 향상을 도모할 수 있도록 한다.XPS에 의해 측정되는, 입자 표면으로부터 깊이 100㎚의 위치에 있어서의 할로겐(Ha)의 원소 비율 ZHa1에 대한, 입자 표면으로부터 깊이 5㎚의 위치에 있어서의 할로겐(Ha)의 원소 비율 ZHa2의 비율(ZHa2／ZHa1

Li, P, S 및 할로겐(Ha)으로 이루어지는, 입방정계 Argyrodite형 결정 구조의 결정상을 갖는 황화물계 고체 전해질 입자에 관한 것으로서, 양극 활물질 입자 또는 음극 활물질 입자와의 사이에 양호한 접촉 상태를 확보할 수 있고, 레이트 특성 및 사이클 특성의 가일층의 향상을 도모할 수 있도록 한다.XPS에 의해 측정되는, 입자 표면으로부터 깊이 100㎚의 위치에 있어서의 할로겐(Ha)의 원소 비율 ZHa1에 대한, 입자 표면으로부터 깊이 5㎚의 위치에 있어서의 할로겐(Ha)의 원소 비율 ZHa2의 비율(ZHa2／ZHa1)이 0.5 이하이며, 또한, 입자 표면으로부터 깊이 5㎚의 위치에 있어서의 인(P), 황(S), 산소(O) 및 할로겐(Ha)의 원소 비율의 합계 ZA2에 대한, 산소의 원소 비율 ZO2의 비율(ZO2／ZA2)이 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 황화물계 고체 전해질 입자를 제안한다.

대표청구항 ▼

리튬(Li), 인(P), 황(S) 및 할로겐(Ha)으로 이루어지는 입방정계 Argyrodite형 결정 구조의 결정상을 갖는 황화물계 고체 전해질 입자로서,XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)에 의해 측정되는, 입자 표면으로부터 깊이 100㎚의 위치(SiO2 스퍼터 레이트 환산)에 있어서의 할로겐의 원소 비율 ZHa1에 대한, 입자 표면으로부터 깊이 5㎚의 위치(SiO2 스퍼터 레이트 환산)에 있어서의 할로겐(Ha)의 원소 비율 ZHa2의 비율(ZHa2／ZHa1)이 0.5 이하이며, 또한,입자 표면으로부

리튬(Li), 인(P), 황(S) 및 할로겐(Ha)으로 이루어지는 입방정계 Argyrodite형 결정 구조의 결정상을 갖는 황화물계 고체 전해질 입자로서,XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)에 의해 측정되는, 입자 표면으로부터 깊이 100㎚의 위치(SiO2 스퍼터 레이트 환산)에 있어서의 할로겐의 원소 비율 ZHa1에 대한, 입자 표면으로부터 깊이 5㎚의 위치(SiO2 스퍼터 레이트 환산)에 있어서의 할로겐(Ha)의 원소 비율 ZHa2의 비율(ZHa2／ZHa1)이 0.5 이하이며, 또한,입자 표면으로부터 깊이 5㎚의 위치(SiO2 스퍼터 레이트 환산)에 있어서의 인(P), 황(S), 산소(O) 및 할로겐(Ha)의 원소 비율의 합계 ZA2에 대한, 산소의 원소 비율 ZO2의 비율(ZO2／ZA2)이 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 황화물계 고체 전해질 입자.