초록 ▼

본 발명은 주파수 센서에 관한 것이다.상기 주파수 센서는: 최소한 자유 자성층, 기준 자성층, 및 자유 자성층 및 기준 자성층 사이에 배열된 비자성 중간층을 갖는 자성 헤테로구조를 포함하는 자기저항 나노-오밀레이터; 입력 신호를 자유 자성층의 적어도 하나의 자기 모드에 커플링하기 위한 커플링 어레인지먼트; 및 주파수 추정기를 포함할 수 있다.상기 주파수 추정기는: 시간 경과에 따라 자기저항 나노 오실레이의 양단의 전압 측정을 복수 번 수행하고; 상기 복수 번의 전압 측정을 기반으로 자기저항 나노 오실레이터의 양단의 시간 평균 전압을

본 발명은 주파수 센서에 관한 것이다.상기 주파수 센서는: 최소한 자유 자성층, 기준 자성층, 및 자유 자성층 및 기준 자성층 사이에 배열된 비자성 중간층을 갖는 자성 헤테로구조를 포함하는 자기저항 나노-오밀레이터; 입력 신호를 자유 자성층의 적어도 하나의 자기 모드에 커플링하기 위한 커플링 어레인지먼트; 및 주파수 추정기를 포함할 수 있다.상기 주파수 추정기는: 시간 경과에 따라 자기저항 나노 오실레이의 양단의 전압 측정을 복수 번 수행하고; 상기 복수 번의 전압 측정을 기반으로 자기저항 나노 오실레이터의 양단의 시간 평균 전압을 계산하며; 상기 계산된 시간 평균 전압을 기반으로 한정된 주파수 범위에서 입력 신호의 주파수를 추정하고; 상기 추정된 주파수를 나타내는 신호를 출력하도록 구성될 수 있다.입력 신호의 주파수를 추정하는 방법도 제공된다.

대표청구항 ▼

주파수 센서에 있어서,적어도 자유 자성층, 기준 자성층, 및 상기 자유 자성층과 상기 기준 자성층 사이에 배치되는 비자성 중간층을 갖는 자성 헤테로구조를 포함하는 자기저항 나노 오실레이터(magnetoresistive nano-oscillator);입력 신호를 상기 자유 자성층의 적어도 하나의 자기 모드에 커플링(coupling)하도록 배치되는 커플링 어레인지먼트(Coupling arrangement); 및주파수 추정기를 포함하되,상기 주파수 추정기는,시간 경과에 따라 상기 자기저항 나노 오실레이터의 양단의 전압 측정을 복수 번 수

주파수 센서에 있어서,적어도 자유 자성층, 기준 자성층, 및 상기 자유 자성층과 상기 기준 자성층 사이에 배치되는 비자성 중간층을 갖는 자성 헤테로구조를 포함하는 자기저항 나노 오실레이터(magnetoresistive nano-oscillator);입력 신호를 상기 자유 자성층의 적어도 하나의 자기 모드에 커플링(coupling)하도록 배치되는 커플링 어레인지먼트(Coupling arrangement); 및주파수 추정기를 포함하되,상기 주파수 추정기는,시간 경과에 따라 상기 자기저항 나노 오실레이터의 양단의 전압 측정을 복수 번 수행하고,상기 복수 번의 전압 측정에 기초하여, 상기 자기저항 나노 오실레이터의 양단의 시간 평균 전압을 계산하며,한정된 주파수 범위에서, 상기 계산된 시간 평균 전압에 기초하여 상기 입력 신호의 주파수를 추정하고,상기 추정된 주파수를 나타내는 신호를 출력하도록 구성되는 주파수 센서.