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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-7027142 (2020-09-21) | |
공개번호 | 10-2020-0124708 (2020-11-03) | |
우선권정보 | 중국(CN) PCT/CN2018/076956 (2018-02-22) | |
국제출원번호 | PCT/CN2019/075675 (2019-02-21) | |
국제공개번호 | WO 2019/161772 (2019-08-29) | |
번역문제출일자 | 2020-09-21 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020207027142 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
(5.3±0.2)°, (8.6±0.2)°, (9.8±0.2)°, (21.7±0.2)°및 (22.7±0.2)°의 2θ 값에서의 반사를 포함하는 X-선 회절 패턴을 갖는 결정질 층상 실리케이트가 제공된다.또한, 상기 결정질 층상 실리케이트의 제조 방법 및 상기 층상 실리케이트의 용도가 제공된다.상기 방법은, (i) 물, Si 공급원, 및 다이에틸다이메틸암모늄 화합물을 포함하는 구조 유도제(structure directing agent)를 포함하는 합성 혼합물을 제조하는 단계; 및 (ii) 상기 단계 (i)로부터 수득된 합성 혼합물을 열
0.15419 nm의 파장을 갖는 Cu-κ1,2 복사선으로 15℃ 내지 25℃ 범위의 온도에서 측정시, (5.3±0.2)°, (8.6±0.2)°, (9.8±0.2)°, (21.7±0.2)° 및 (22.7±0.2)°의 2θ 값에서의 반사(reflection)를 포함하는 X-선 회절 패턴을 갖는 결정질 층상(layered) 실리케이트.
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