초록 ▼

(5.3±0.2)°, (8.6±0.2)°, (9.8±0.2)°, (21.7±0.2)°및 (22.7±0.2)°의 2θ 값에서의 반사를 포함하는 X-선 회절 패턴을 갖는 결정질 층상 실리케이트가 제공된다.또한, 상기 결정질 층상 실리케이트의 제조 방법 및 상기 층상 실리케이트의 용도가 제공된다.상기 방법은, (i) 물, Si 공급원, 및 다이에틸다이메틸암모늄 화합물을 포함하는 구조 유도제(structure directing agent)를 포함하는 합성 혼합물을 제조하는 단계; 및 (ii) 상기 단계 (i)로부터 수득된 합성 혼합물을 열

(5.3±0.2)°, (8.6±0.2)°, (9.8±0.2)°, (21.7±0.2)°및 (22.7±0.2)°의 2θ 값에서의 반사를 포함하는 X-선 회절 패턴을 갖는 결정질 층상 실리케이트가 제공된다.또한, 상기 결정질 층상 실리케이트의 제조 방법 및 상기 층상 실리케이트의 용도가 제공된다.상기 방법은, (i) 물, Si 공급원, 및 다이에틸다이메틸암모늄 화합물을 포함하는 구조 유도제(structure directing agent)를 포함하는 합성 혼합물을 제조하는 단계; 및 (ii) 상기 단계 (i)로부터 수득된 합성 혼합물을 열수 합성 조건에 적용하는 단계로서, 상기 단계 (i)로부터 수득된 합성 혼합물을 110℃ 내지 180℃ 범위의 온도로 가열하고, 상기 합성 혼합물을 자생(autogenous) 압력 하에 1 내지 6일 동안 상기 범위의 온도로 유지하여, 결정질 층상 실리케이트를 포함하는 모액을 수득하는 것을 포함하는, 단계를 포함한다.

대표청구항

0.15419 nm의 파장을 갖는 Cu-κ1,2 복사선으로 15℃ 내지 25℃ 범위의 온도에서 측정시, (5.3±0.2)°, (8.6±0.2)°, (9.8±0.2)°, (21.7±0.2)° 및 (22.7±0.2)°의 2θ 값에서의 반사(reflection)를 포함하는 X-선 회절 패턴을 갖는 결정질 층상(layered) 실리케이트.

0.15419 nm의 파장을 갖는 Cu-κ1,2 복사선으로 15℃ 내지 25℃ 범위의 온도에서 측정시, (5.3±0.2)°, (8.6±0.2)°, (9.8±0.2)°, (21.7±0.2)° 및 (22.7±0.2)°의 2θ 값에서의 반사(reflection)를 포함하는 X-선 회절 패턴을 갖는 결정질 층상(layered) 실리케이트.