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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-7027476 (2020-09-23) | |
공개번호 | 10-2020-0116165 (2020-10-08) | |
우선권정보 | 미국(US) 15/903,964 (2018-02-23) | |
국제출원번호 | PCT/US2019/016254 (2019-02-01) | |
국제공개번호 | WO 2019/164655 (2019-08-29) | |
번역문제출일자 | 2020-09-23 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020207027476 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
DRAM 커패시터는 컨테이너로서 구성되며 도핑된 티타늄 질화물 재료를 포함하는 제 1 커패시터 전극, 제 1 커패시터 전극 상의 커패시터 유전체, 및 커패시터 유전체 상의 제 2 커패시터 전극을 포함한다. 이러한 DRAM 커패시터들을 포함하는 반도체 디바이스들 및 시스템들이 그렇듯이, DRAM 커패시터를 형성하는 방법들이 또한 개시된다.
DRAM 커패시터에 있어서, 컨테이너로서 구성되며 도핑된 티타늄 질화물 재료를 포함하는 제 1 커패시터 전극;상기 제 1 커패시터 전극 상의 커패시터 유전체; 및상기 커패시터 유전체 상의 제 2 커패시터 전극을 포함하는, DRAM 커패시터.
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