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연합인증

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ＤＲＡＭ 커패시터를 위한 도핑된 티타늄 질화물 재료, 및 관련된 반도체 디바이스, 시스템, 및 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-027/108
  • H01L-021/02
출원번호 10-2020-7027476 (2020-09-23)
공개번호 10-2020-0116165 (2020-10-08)
우선권정보 미국(US) 15/903,964 (2018-02-23)
국제출원번호 PCT/US2019/016254 (2019-02-01)
국제공개번호 WO 2019/164655 (2019-08-29)
번역문제출일자 2020-09-23
DOI http://doi.org/10.8080/1020207027476
발명자 / 주소
  • 록클라인, 매튜 엔. / 미국, 아이다호 *****, 보이세, 이스트 베이 트레일 코트 ****
  • 파두아노, 폴 에이. / 미국, 아이다호 *****, 남파, 사우스 블랙 캣 ****
  • 켈커, 산켓 에스. / 미국, 아이다호 *****, 보이세, 유***, 이스트 레드 시더 레인 ****
  • 펫쯔, 크리스토퍼 더블유. / 미국, 아이다호 *****, 보이세, 이스트 리버파크 레인 ***
  • 송, 제 / 미국, 아이다호 *****, 보이세, 사우스 트레일우드 웨이 ****
  • 안토노브, 바씰 / 미국, 아이다호 *****, 보이세, 사우스 빈티지 웨이 ****
  • 타오, 치안 / 미국, 아이다호 *****, 보이세, 이스트 밀 스테이션 드라이브 ****
출원인 / 주소
  • 마이크론 테크놀로지, 인크 / 미국, 아이다호, 보이세, 사우스 페더럴 웨이 ****
대리인 / 주소
  • 한양특허법인
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

DRAM 커패시터는 컨테이너로서 구성되며 도핑된 티타늄 질화물 재료를 포함하는 제 1 커패시터 전극, 제 1 커패시터 전극 상의 커패시터 유전체, 및 커패시터 유전체 상의 제 2 커패시터 전극을 포함한다. 이러한 DRAM 커패시터들을 포함하는 반도체 디바이스들 및 시스템들이 그렇듯이, DRAM 커패시터를 형성하는 방법들이 또한 개시된다.

대표청구항

DRAM 커패시터에 있어서, 컨테이너로서 구성되며 도핑된 티타늄 질화물 재료를 포함하는 제 1 커패시터 전극;상기 제 1 커패시터 전극 상의 커패시터 유전체; 및상기 커패시터 유전체 상의 제 2 커패시터 전극을 포함하는, DRAM 커패시터.

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [미국] Method of fabricating a semiconductor device with a capacitor structure having increased capacitance | Ueno Kazuyoshi (Tokyo JPX)
    상세보기
  2. [한국] 서포터를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법 | 양현정, 정순욱, 구봉진, 김완돈, 정병홍, 탁용석
    상세보기
  3. [미국] Metal-insulator-metal capacitor and manufacturing method thereof | Kim, Wan-Don, Kim, Jin-Won, Won, Seok-Jun, Yoo, Cha-Young
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