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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0000429 (2021-01-04) | |
공개번호 | 10-2022-0098580 (2022-07-12) | |
등록번호 | 10-2446604-0000 (2022-09-20) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210000429 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-01-04) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
다양한 실시예들은 스트레인드 채널 성장 구조, 및 그를 이용한 스트레인드 채널 및 소자 제조 방법에 관한 것으로, 스트레인드 채널 성장 구조는 지지 기판, 지지 기판 상에 배치되는 스트레인-완화층, 스트레인-완화층 상에 일 조성을 갖도록 성장되는 베이스 성장층, 및 베이스 성장층 상에 다른 조성을 갖도록 성장되는 스트레인드 채널층을 포함하고, 스트레인드 채널층은, 인장-스트레인드 채널층 또는 압축-스트레인드 채널층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
스트레인드 채널 성장 구조에 있어서, 지지 기판; 상기 지지 기판 상에 배치되는 스트레인-완화층; 상기 스트레인-완화층 상에 일 조성을 갖도록 성장되는 베이스 성장층; 및상기 베이스 성장층 상에 다른 조성을 갖도록 성장되는 스트레인드 채널층을 포함하고,상기 스트레인드 채널층은, 인장-스트레인드 채널층 또는 압축-스트레인드 채널층 중 적어도 하나를 포함하고,상기 스트레인드 채널층은,상기 베이스 성장층과 상기 압축-스트레인드 채널층 사이에 개재되는 식각-스탑층을 더 포함하는, 성장 구조.
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