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연합인증

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SiOCN 박막 형성 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/02
  • C23C-016/30
  • C23C-016/455
출원번호 10-2021-0005252 (2021-01-14)
공개번호 10-2021-0093764 (2021-07-28)
우선권정보 미국(US) 62/962,667 (2020-01-17)
DOI http://doi.org/10.8080/1020210005252
발명자 / 주소
  • 샤르마 바룬 / 핀란드 ***** 헬싱키 바이노 아위린 카투 ** 에이
출원인 / 주소
  • 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. / 네덜란드 에이피 알메르 **** 베르스테르케르스트라아트 *
대리인 / 주소
  • 리앤목특허법인
법적상태 공개

초록

반응 공간에서 기판 상에 실리콘 함유 박막을 증착하는 방법이 제공된다. 방법들은 기판을 할로겐화실란을 포함하는 실리콘 전구체 및 아실 할라이드를 포함하는 제2 반응물과 순차적으로 접촉시키는 단계를 포함하는 적어도 하나의 증착 사이클을 포함하는 증착 공정을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, Si(O, C, N) 박막이 증착되고 증착 조건을 조정함으로써 박막 내의 질소 및 탄소 농도를 조정할 수 있다.

대표청구항

반응 공간의 기판 상에 적어도 하나의 증착 사이클을 포함한 주기적 기상 증착 공정에 의해 실리콘 함유 박막을 형성하는 방법으로서, 상기 적어도 하나의 증착 사이클은,할로실란을 포함한 실리콘 기상 전구체와 상기 기판을 접촉시키는 단계;아민 반응물과 상기 기판을 접촉시키는 단계; 및아실 할라이드 또는 카르복실 산 반응물과 상기 기판을 접촉시키는 단계를 포함하는, 방법.

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