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[한국특허] 구리 박막의 건식 식각방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/3213
출원번호 10-2021-0023210 (2021-02-22)
등록번호 10-2428640-0000 (2022-07-29)
DOI http://doi.org/10.8080/1020210023210
발명자 / 주소
  • 정지원 / 서울특별시 양천구 목동동로 *** 신시가지**단지아파트 ****-****
  • 박성용 / 서울특별시 동작구 보라매로*가길 **, *층
  • 이지수 / 서울특별시 강북구 한천로***길 **-*, *층
  • 임은택 / 서울특별시 서초구 효령로*길 **-** 삼성하이츠 B**호
출원인 / 주소
  • 인하대학교 산학협력단 / 인천광역시 미추홀구 인하로 ***(용현동, 인하대학교)
대리인 / 주소
  • 특허법인 공간
심사청구여부 있음 (2021-02-22)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 구리 박막의 식각방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 구리 박막에 대하여 에틸렌디아민, 헥사플루오로아이소프로판올 및 불활성 가스를 포함하는 혼합식각가스의 농도 등을 포함한 최적의 식각공정 조건을 적용함으로써, 종래 구리 박막의 식각법에 비해 재증착이 발생하지 않으면서 빠른 식각속도 및 높은 이방성 (또는 식각 경사)의 식각프로파일(80nm)을 제공할 수 있는 구리 박막의 식각방법에 관한 것이다.

대표청구항

(a) 구리 박막을 하드 마스크로 패터닝하고 식각하여 마스킹하는 단계;(b) 에틸렌디아민((NH2)2C2H4), 헥사플루오로아이소프로판올((CF3)2CHOH) 및 불활성 가스를 포함하는 혼합가스를 플라즈마화하는 단계; (c) 상기 (b) 단계에서 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 (a) 단계에서 마스킹된 하드마스크를 이용하여 구리 박막을 식각하는 단계;를 포함하는 구리 박막의 식각방법.

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