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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2021-0041989 (2021-03-31) | |
| 공개번호 | 10-2022-0135815 (2022-10-07) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020210041989 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 법적상태 | 공개 |
산화막 코팅용액 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치 제조 방법은 기판 상에, 하부 패턴과 상부 패턴을 포함하는 핀형 패턴을 형성하고, 상부 패턴은 하부 패턴 상에 교대로 적층된 복수의 희생층 및 복수의 시트 패턴을 포함하고, 기판 상에, 하부 패턴의 측벽을 덮는 필드 절연막을 형성하고, 필드 절연막 상에, 필드 절연막의 상면을 따라 연장된 패시베이션막을 형성하고, 패시베이션막을 형성한 후, 복수의 희생층을 제거하는 것을 포함한다.
기판 상에, 하부 패턴과 상부 패턴을 포함하는 핀형 패턴을 형성하고, 상기 상부 패턴은 상기 하부 패턴 상에 교대로 적층된 복수의 희생층 및 복수의 시트 패턴을 포함하고,상기 기판 상에, 상기 하부 패턴의 측벽을 덮는 필드 절연막을 형성하고,상기 필드 절연막 상에, 상기 필드 절연막의 상면을 따라 연장된 패시베이션막을 형성하고,상기 패시베이션막을 형성한 후, 상기 복수의 희생층을 제거하는 것을 포함하는 반도체 장치 제조 방법.
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