초록 ▼

본 발명은 브레이크 디스크의 내식성, 내마모성, 내습동성, 표면경도, 강도, 피로강도 등의 기계적 특성을 향상시키기 위한 산질화 처리 방법 및 상기 방법에 의해 산질화 처리된 브레이크 디스크에 관한 것으로, 상기 브레이크 디스크의 산질화 처리 방법은, 브레이크 디스크를 지그에 장착하는 디스크 장착 단계; 상기 지그에 장착된 브레이크 디스크를 세척하는 디스크 세척 단계; 상기 세척된 브레이크 디스크에 확산층 및 질화층이 형성되도록 질화처리 하는 디스크 질화 처리 단계; 상기 질화처리된 브레이크 디스크에 산화층이 형성되도록 산화처리 하

본 발명은 브레이크 디스크의 내식성, 내마모성, 내습동성, 표면경도, 강도, 피로강도 등의 기계적 특성을 향상시키기 위한 산질화 처리 방법 및 상기 방법에 의해 산질화 처리된 브레이크 디스크에 관한 것으로, 상기 브레이크 디스크의 산질화 처리 방법은, 브레이크 디스크를 지그에 장착하는 디스크 장착 단계; 상기 지그에 장착된 브레이크 디스크를 세척하는 디스크 세척 단계; 상기 세척된 브레이크 디스크에 확산층 및 질화층이 형성되도록 질화처리 하는 디스크 질화 처리 단계; 상기 질화처리된 브레이크 디스크에 산화층이 형성되도록 산화처리 하는 디스크 산화 처리 단계 및 상기 산화처리된 브레이크 디스크를 냉각하는 디스크 냉각 단계를 포함하여 구성될 수 있다.

대표청구항 ▼

브레이크 디스크를 지그에 장착하는 디스크 장착 단계;상기 지그에 장착된 브레이크 디스크를 세척하는 디스크 세척 단계;상기 세척된 브레이크 디스크에 확산층 및 질화층이 형성되도록 암모니아(NH3) 분위기 하에서 질소(N2)를 침투시키되, 탄소(C)계의 촉매가스를 선택적으로 침투시켜 순질화 및 연질화 중 하나의 이상의 방식으로 질화 처리하여 질화층의 두께를 10 내지 25㎛ 두께로 처리하는 디스크 질화 처리 단계;상기 질화처리된 브레이크 디스크에 산화층이 형성되도록 산화처리 하는 디스크 산화 처리 단계 및상기 산화처리된 브레이크 디스크

브레이크 디스크를 지그에 장착하는 디스크 장착 단계;상기 지그에 장착된 브레이크 디스크를 세척하는 디스크 세척 단계;상기 세척된 브레이크 디스크에 확산층 및 질화층이 형성되도록 암모니아(NH3) 분위기 하에서 질소(N2)를 침투시키되, 탄소(C)계의 촉매가스를 선택적으로 침투시켜 순질화 및 연질화 중 하나의 이상의 방식으로 질화 처리하여 질화층의 두께를 10 내지 25㎛ 두께로 처리하는 디스크 질화 처리 단계;상기 질화처리된 브레이크 디스크에 산화층이 형성되도록 산화처리 하는 디스크 산화 처리 단계 및상기 산화처리된 브레이크 디스크를 냉각하는 디스크 냉각 단계를 포함하고,상기 디스크 질화 처리 단계는,탄소(C)계의 촉매가스를 침투시킬 경우,암모니아(NH3) 55 중량부 내지 65 중량부, 질소(N2) 30 중량부 내지 40 중량부, 탄소(C)계의 촉매가스 3 내지 7 중량부를 570℃ 내지 590℃의 가열온도에서 210분 내지 270분간 침투시키고,상기 디스크 산화 처리 단계는,490℃ 내지 510℃의 가열온도에서 90분 내지 150분간 수증기(H2O)와 질소(N2)를 투입하여 산화층의 두께를 1 내지 3.5㎛ 두께로 처리하고,상기 브레이크 디스크는,탄소당량(Carbon Equivalent, C.E)이 4.2 내지 4.75이며,상기 디스크 질화 처리 단계 이전에,상기 브레이크 디스크의 응력을 제거하는 풀림 처리 단계를 더 포함하며,상기 풀림 처리 단계는,340℃ 내지 360℃의 온도에서 1시간 30분 내지 2시간 30분 동안 예열하는 예열 단계;635℃ 내지 650℃의 온도에서 3시간 30분 내지 4시간 30분 동안 가열하는 가열 단계;상기 가열 단계 이후에 상기 가열 단계의 온도에서 445 내지 455℃의 온도가 될 때까지 자연 냉각하는 자연 냉각단계 및상기 자연 냉각단계 이후에 상기 자연 냉각단계의 온도에서 295 내지 305℃의 온도가 될 때까지 공기로 냉각하는 공냉단계를 포함하는 브레이크 디스크의 산질화 처리 방법.[여기서, C.E=탄소(C) 중량 함량비(%)+ 1/3 규소(S) 중량 함량비(%)]