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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0048981 (2021-04-15) | |
공개번호 | 10-2022-0142663 (2022-10-24) | |
등록번호 | 10-2479391-0000 (2022-12-15) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210048981 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-04-15) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
분극 가능한 물질을 이용한 메모리 셀 및 이를 기반으로 하는 메모리 소자가 개시된다.일 실시예에 따르면, 분극 가능한 물질을 이용한 메모리 셀은 분극 가능한 물질(Polarizable material)로 형성되는 제1 산화물 저장층과 제2 산화물 저장층; 및 상기 제1 산화물 저장층과 상기 제2 산화물 저장층 사이에 개재되는 결정질층을 포함할 수 있다.
분극 가능한 물질을 이용한 메모리 셀에 있어서, 분극 가능한 물질(Polarizable material)로 형성되는 제1 산화물 저장층과 제2 산화물 저장층; 및 상기 제1 산화물 저장층과 상기 제2 산화물 저장층 사이에 개재되는 결정질층을 포함하고, 상기 메모리 셀 내의 결정 형성을 방지하는 상기 결정질층은,상기 제1 산화물 저장층 및 상기 제2 산화물 저장층의 분극 특성을 개선하기 위해, 상기 제1 산화물 저장층 및 상기 제2 산화물 저장층 각각을 형성하는 물질이 갖는 2eV이상의 밴드 갭(Band gap)과 동일한 밴드 갭을
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