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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0060844 (2021-05-11) | |
공개번호 | 10-2022-0153360 (2022-11-18) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210060844 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 제1 전극, 상기 제1 전극 상의 흡수층, 상기 흡수층은 순차적으로 적층된 N형 반도체층, 제1 I형 반도체층, 및 제1 P형 반도체층을 포함하고, 증폭층, 상기 증폭층은 순차적으로 적층된 상기 제1 P형 반도체층, 제2 I형 반도체층, 및 제2 P형 반도체층을 포함하며;상기 제1 P형 반도체층의 상면 상의 제2 전극, 및 상기 제2 P형 반도체층 상의 제3 전극을 포함하는 에벌런치 광 검출기.
제1 전극;상기 제1 전극 상의 흡수층, 상기 흡수층은 순차적으로 적층된 N형 반도체층, 제1 I형 반도체층, 및 제1 P형 반도체층을 포함하고;증폭층, 상기 증폭층은 순차적으로 적층된 상기 제1 P형 반도체층, 제2 I형 반도체층, 및 제2 P형 반도체층을 포함하며;상기 제1 P형 반도체층의 상면 상의 제2 전극; 및상기 제2 P형 반도체층 상의 제3 전극을 포함하는 에벌런치 광 검출기.
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