초록 ▼

3차원 구조 메모리, 이의 동작 방법 및 이의 제조 방법이 개시된다.일 실시예에 따르면, 3차원 구조 메모리는, 수직 방향으로 연장 형성된 채 채널 패턴 및 상기 채널 패턴의 외측면에 형성되는 게이트 유전체 패턴을 각각 포함하는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 수평 방향으로 돌출된 돌출부들을 포함함-; 상기 돌출부들을 각각 감싸도록 형성되는 하부 전극층들; 상기 수직 채널 구조체들 각각에 대해 직교하며 배치된 채 상기 하부 전극층들과 일부분이 각각 맞닿는 강유전체층들; 및 상기 수직 채널 구조체들 각각에 대해 직

3차원 구조 메모리, 이의 동작 방법 및 이의 제조 방법이 개시된다.일 실시예에 따르면, 3차원 구조 메모리는, 수직 방향으로 연장 형성된 채 채널 패턴 및 상기 채널 패턴의 외측면에 형성되는 게이트 유전체 패턴을 각각 포함하는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 수평 방향으로 돌출된 돌출부들을 포함함-; 상기 돌출부들을 각각 감싸도록 형성되는 하부 전극층들; 상기 수직 채널 구조체들 각각에 대해 직교하며 배치된 채 상기 하부 전극층들과 일부분이 각각 맞닿는 강유전체층들; 및 상기 수직 채널 구조체들 각각에 대해 직교하며 배치된 채 상기 강유전체층들의 상부에 각각 적층되는 상부 전극층들을 포함할 수 있다.

대표청구항 ▼

수직 방향으로 연장 형성된 채 채널 패턴 및 상기 채널 패턴의 외측면에 형성되는 게이트 유전체 패턴을 각각 포함하는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 수평 방향으로 돌출된 돌출부들을 포함함-; 상기 돌출부들을 각각 감싸도록 형성되는 하부 전극층들; 상기 수직 채널 구조체들 각각에 대해 직교하며 배치된 채 상기 하부 전극층들과 일부분이 각각 맞닿는 강유전체층들; 및 상기 수직 채널 구조체들 각각에 대해 직교하며 배치된 채 상기 강유전체층들의 상부에 각각 적층되는 상부 전극층들을 포함하고, 상기 강유전체층들이 상기 하

수직 방향으로 연장 형성된 채 채널 패턴 및 상기 채널 패턴의 외측면에 형성되는 게이트 유전체 패턴을 각각 포함하는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 수평 방향으로 돌출된 돌출부들을 포함함-; 상기 돌출부들을 각각 감싸도록 형성되는 하부 전극층들; 상기 수직 채널 구조체들 각각에 대해 직교하며 배치된 채 상기 하부 전극층들과 일부분이 각각 맞닿는 강유전체층들; 및 상기 수직 채널 구조체들 각각에 대해 직교하며 배치된 채 상기 강유전체층들의 상부에 각각 적층되는 상부 전극층들을 포함하고, 상기 강유전체층들이 상기 하부 전극층들과 각각 맞닿는 일부분의 면적은, 상기 강유전체층들 각각의 커패시턴스가 상기 게이트 유전체 패턴의 커패시턴스보다 작도록 조절되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조 메모리.