초록 ▼

이방성 본드 자석 및 그 제조 방법에 있어서, 상이한SmFeN함량 및/또는 밀도의 자석을 겹쳐 쌓는 방법을 사용하는 것을 통해, 그 중간의 자석 성능이 높고, 양단 및/또는 외주의 자석 성능이 낮게 하고, 이로써 압축 과정 중에 밀도 차이로 인해 발생하는 성능의 편차를 보상하고, 자석의 축방향 에서의 성능의 균일성을 개선한다. 상기 방법은 배향 치밀화 과정 중에 존재하는 높이 방향 자기장 배향 및 밀도 불 균일의 현상과 중간이 낮고 양쪽이 높은 현상이 발생하는 것을 해결하였다. 상기 방법으로 제조한 이방성 본드 자석은 압축 방향을

이방성 본드 자석 및 그 제조 방법에 있어서, 상이한SmFeN함량 및/또는 밀도의 자석을 겹쳐 쌓는 방법을 사용하는 것을 통해, 그 중간의 자석 성능이 높고, 양단 및/또는 외주의 자석 성능이 낮게 하고, 이로써 압축 과정 중에 밀도 차이로 인해 발생하는 성능의 편차를 보상하고, 자석의 축방향 에서의 성능의 균일성을 개선한다. 상기 방법은 배향 치밀화 과정 중에 존재하는 높이 방향 자기장 배향 및 밀도 불 균일의 현상과 중간이 낮고 양쪽이 높은 현상이 발생하는 것을 해결하였다. 상기 방법으로 제조한 이방성 본드 자석은 압축 방향을 따라 밀도의 편차가 2%보다 작은 특징을 구비하고, 자석의 배향도와 밀도 및 자석 성능의 균일성과 사이즈 정밀도를 효과적으로 향상시킨다.

대표청구항 ▼

이방성 본드 자석에 있어서, R-T-B류 영구 자석 분말과 SmFeN영구 자석 분말을 포함하고, 그 중, R-T-B류 영구 자석 분말 중에서 R의 함량은 28~31 wt.%이고, B의 함량은 0.9~1.1 wt.%이고, 여분은 T이고; R은 한가지 및 이상의 희토류 원소에서 선택되고, T는 Fe 또는 FeCo 및 전이족 금속이고, B는 붕소이고;SmFeN영구 자석 분말은 R-T-B류 영구 자석 분말 중량 함량의 5%~30%이고;상기 이방성 본드 자석은 여러 개의 상이한 예비 성형 그린 바디로 압축 성형되고, 얻은 상기 이방성 본드

이방성 본드 자석에 있어서, R-T-B류 영구 자석 분말과 SmFeN영구 자석 분말을 포함하고, 그 중, R-T-B류 영구 자석 분말 중에서 R의 함량은 28~31 wt.%이고, B의 함량은 0.9~1.1 wt.%이고, 여분은 T이고; R은 한가지 및 이상의 희토류 원소에서 선택되고, T는 Fe 또는 FeCo 및 전이족 금속이고, B는 붕소이고;SmFeN영구 자석 분말은 R-T-B류 영구 자석 분말 중량 함량의 5%~30%이고;상기 이방성 본드 자석은 여러 개의 상이한 예비 성형 그린 바디로 압축 성형되고, 얻은 상기 이방성 본드 자석은 압축 방향을 따라 밀도 편차는 2%보다 작고,상기 여러 가지 상이한 예비 성형 그린 바디는 제1예비 성형 그린 바디와 제2예비 성형 그린 바디를 포함하고; 상기 제1예비 성형 그린 바디는 SmFeN영구 자석 분말의 함량이 비교적 낮은 복합 자석 분말로 제조되고, 상기 제2예비 성형 그린 바디는 SmFeN영구 자석 분말의 함량이 비교적 높은 복합 자석 분말로 제조되고, 그 중, SmFeN영구 자석 분말의 함량이 비교적 낮은 복합 자석 분말 중에서 SmFeN질량 백분비 함량은 3~15%이고, SmFeN영구 자석 분말의 함량이 비교적 높은 복합 자석 분말 중에서 SmFeN질량 백분비 함량은 15~40%인 것을 특징으로 하는 이방성 본드 자석.