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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0071720 (2021-06-02) | |
공개번호 | 10-2022-0163157 (2022-12-09) | |
등록번호 | 10-2672944-0000 (2024-06-03) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210071720 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-06-02) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은, 아연-이온 전지용 망간산화물계 음극재, 이의 제조방법 및 아연-이온 전지에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 할로겐-도핑된 β-MnO2의 2차원 나노시트를 포함하고, 상기 2차원 나노시트가 인터레이스된 구형 입자인 것인, 망간산화물계 음극재 및 이의 제조방법에 관한 것이다.또한, 본 발명은, 본 발명에 의한 망간산화물계 음극재를 포함하는 아연-이온 전지용 음극 조성물 및 아연-이온 전지에 더 관련된다.
할로겐-도핑된 β-MnO2의 2차원 나노시트;를 포함하고,상기 2차원 나노시트가 인터레이스된 구형 입자이고,상기 구형 입자는, 계층적 다공성 구조이고,상기 구형 입자는 0.11 cm3 g-1 내지 0.3 cm3 g-1의 기공부피 및 53 m2 g-1 내지 100 m2 g-1 비표면적을 갖는 것인,망간산화물계 음극재.
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