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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0094087 (2021-07-19) | |
공개번호 | 10-2023-0013399 (2023-01-26) | |
등록번호 | 10-2653220-0000 (2024-03-27) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210094087 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-07-19) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 일 측면에서의 목적은 1.8 미만의 현저히 낮은 유전율을 나타내는 불소계 고분자 및 이를 포함하는 불소계 고분자 조성물을 제공하는 데 있다. 본 발명의 일 측면에서 제공되는 불소계 고분자 매우 낮은 유전율을 나타내며, 유해물질이 발생되지 않는 공해저감형 소재일 뿐만 아니라, 높은 점착성으로 인해서 다양한 분야에서 코팅소재로 활용될 수 있다. 나아가, 이를 소재로 적용한 고분자막은 체적저항이 약 5.8 × 1015 Ohm·cm로 절연재로로써 우수한 저항값을 나타낸다.
하기 화학식 1로 표시되는 불소계 고분자:<화학식 1>(상기 화학식 1에서, Rf는 C3-20의 불소화된 분지쇄 알킬로, CF2 및 CF3 중 1종 이상을 2개 내지 4개 포함하고; R1-4는 각각 독립적으로 수소(H), 메틸(CH3) 또는 할로겐기이고; R5는 C1-20의 직쇄 알킬 또는 C3-20의 분지쇄 알킬이고; x+y+p+q=100인 몰비 기준으로, x는 5-35이고, y는 35-65이고, p는 1-20이고, q는 10-30이고, z는 1-5이다).
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