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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0097156 (2021-07-23) | |
공개번호 | 10-2021-0096028 (2021-08-04) | |
등록번호 | 10-2424325-0000 (2022-07-19) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210097156 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-08-23) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
일 실시예에 따른 발광 다이오드는 기판; 기판 상에 배치된 하부 반도체층; 하부 반도체층의 일 영역 상에 상에 배치된 제1 상부 반도체층; 하부 반도체층과 제1 상부 반도체층 사이에 배치된 활성층; 제1 상부 반도체층 상에 배치되어 제1 상부 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극; 하부 반도체층 상에 배치되어 하부 반도체층에 전기적으로 접속된 제2 전극; 제1 전극 및 제2 전극을 덮되, 제1 전극을 노출시키는 제1 개방 영역 및 제2 전극을 노출시키는 제2 개방 영역을 포함하는 절연층; 절연층 상에 배치되어 절연층의 일부를 덮고
기판;상기 기판 상에 배치된 하부 반도체층;상기 하부 반도체층의 일 영역 상에 상에 배치된 제1 상부 반도체층;상기 하부 반도체층과 상기 제1 상부 반도체층 사이에 배치된 활성층;상기 제1 상부 반도체층 상에 배치되어 제1 상부 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극;상기 하부 반도체층 상에 배치되어 상기 하부 반도체층에 전기적으로 접속된 제2 전극;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 덮되, 상기 제1 전극을 노출시키는 제1 개방 영역 및 상기 제2 전극을 노출시키는 제2 개방 영역을 포함하는 절연층;상기 절연층 상에 배치되어 상
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