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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0121176 (2021-09-10) | |
공개번호 | 10-2023-0037989 (2023-03-17) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210121176 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
멀티 브릿지 채널 전계 효과 트랜지스터는 기판, 기판 상에서 제공되는 제1 소스/드레인 패턴, 기판 상에서 제1 소스/드레인 패턴으로부터 제1 방향을 따라 이격되는 제2 소스/드레인 패턴, 제1 소스/드레인 패턴 및 제2 소스/드레인 패턴 사이에 제공되는 제1 채널층 및 제2 채널층, 제1 채널층과 제1 소스/드레인 패턴 사이에 제공되는 제1 그래핀 배리어, 제1 채널층을 둘러싸는 게이트 절연막, 및 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 제1 채널층을 둘러싸는 게이트 전극을 포함한다.
기판;상기 기판 상에서 제공되는 제1 소스/드레인 패턴;상기 기판 상에서 상기 제1 소스/드레인 패턴으로부터 제1 방향을 따라 이격되는 제2 소스/드레인 패턴; 상기 제1 소스/드레인 패턴 및 상기 제2 소스/드레인 패턴 사이에 제공되는 제1 채널층 및 제2 채널층;상기 제1 채널층과 상기 제1 소스/드레인 패턴 사이에 제공되는 제1 그래핀 배리어; 상기 제1 채널층을 둘러싸는 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 제1 채널층을 둘러싸는 게이트 전극;을 포함하는 멀티 브릿지 채널 전계 효과 트랜지스터.
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