초록

비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리가 개시된다.일 실시예에 따르면, 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리는, 강유전체 전계효과 트랜지스터(Ferroelectric Field Effect Transistor; FeFET)를 포함하고, 상기 강유전체 전계효과 트랜지스터의 게이트에는 복수의 강유전체 커패시터들이 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.

대표청구항 ▼

강유전체 전계효과 트랜지스터 기반의 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리(Nonvolatile majority function logic-in-memory)에 있어서, 강유전체 전계효과 트랜지스터(Ferroelectric Field Effect Transistor; FeFET)를 포함하고, 상기 강유전체 전계효과 트랜지스터의 게이트에는 복수의 강유전체 커패시터들이 연결되며, 상기 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리는, 상기 복수의 강유전체 커패시터들 중 어느 하나의 강유전체 커패시터를 판독 동작에만 사용하고, 상기 복수의 강유전체

강유전체 전계효과 트랜지스터 기반의 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리(Nonvolatile majority function logic-in-memory)에 있어서, 강유전체 전계효과 트랜지스터(Ferroelectric Field Effect Transistor; FeFET)를 포함하고, 상기 강유전체 전계효과 트랜지스터의 게이트에는 복수의 강유전체 커패시터들이 연결되며, 상기 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리는, 상기 복수의 강유전체 커패시터들 중 어느 하나의 강유전체 커패시터를 판독 동작에만 사용하고, 상기 복수의 강유전체 커패시터들 중 상기 어느 하나의 강유전체 커패시터를 제외한 나머지 강유전체 커패시터들을 프로그램 동작에 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리.