최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2021-0150057 (2021-11-03) | |
공개번호 | 10-2023-0064454 (2023-05-10) | |
등록번호 | 10-2684671-0000 (2024-07-09) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210150057 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2023-10-13) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은, 리튬을 제외한 금속 원소 중 니켈의 몰 분율이 50 ~ 90몰%인 리튬 니켈계 산화물; 및 상기 리튬 니켈계 산화물의 표면에 형성되고, 붕소(B)를 포함하는 코팅층을 포함하는 양극 활물질을 포함하는 양극재이며, 상기 양극재의 BET 비표면적이 0.2 ~ 0.4m2/g이고, 상기 붕소(B)를 양극재 전체 중량을 기준으로 500ppm 내지 1000ppm의 양으로 포함하는 양극재에 관한 것이다.
리튬을 제외한 금속 원소 중 니켈의 몰 분율이 50 ~ 90몰%인 리튬 니켈계 산화물; 및 상기 리튬 니켈계 산화물의 표면에 형성되고, 붕소(B)를 포함하는 코팅층을 포함하는 양극 활물질을 포함하는 양극재이며,상기 양극재는 BET 비표면적이 0.2 ~ 0.4m2/g이고, 상기 붕소(B)를 양극재 전체 중량을 기준으로 500ppm 내지 1000ppm의 양으로 포함하는 것인 양극재.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.