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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0168324 (2021-11-30) | |
공개번호 | 10-2023-0080826 (2023-06-07) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210168324 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-05-04) | |
법적상태 | 공개 |
비휘발성 메모리에서 고속 영구적 쓰기 처리 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 비휘발성 메모리에서 고속 영구적 쓰기 처리 방법은, 생성된 일정 크기의 데이터 블록의 마지막 저장 위치에서부터 로그 데이터를 쓰는 단계, 데이터 블록 전체를 저장 매체에 반영하는 단계, 마지막 저장 위치를 쓰여진 로그 데이터 크기만큼 증가시키는 단계 및 데이터 블록 전체를 저장 매체에 반영하는 단계를 수행하되, 데이터 블록은, 생성 순서에 따라 다른 데이터 블록과 선형 연결되고, 데이터 블록은, 로그 데이터 저장 영역, 로그 데이터 저장
적어도 하나의 프로그램이 기록된 메모리; 및프로그램을 실행하는 프로세서를 포함하며,프로그램은, 생성된 일정 크기의 데이터 블록에 순차적으로 로그 데이터 쓰기를 수행하되,데이터 블록은, 생성 순서에 따라 다른 데이터 블록과 선형 연결되는, 비휘발성 메모리에서 고속 영구적 쓰기 처리 장치.
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