[특허]압입 리소그래피를 이용한 나노패터닝 수소센서 제조방법

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[한국특허] 압입 리소그래피를 이용한 나노패터닝 수소센서 제조방법
Method for Manufacturing Nano-patterned Hydrogen Sensor using Indentation Lithography 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	G01N-027/12 C08L-027/18 C08L-033/12 C08L-079/02 G01N-033/00 G03F-007/075 B82Y-040/00
출원번호	10-2021-0170516 (2021-12-02)
공개번호	10-2023-0082754 (2023-06-09)
등록번호	10-2602623-0000 (2023-11-10)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020210170516
발명자 / 주소	신채호 / 대전광역시 유성구 어은로 **
출원인 / 주소	한국표준과학연구원 / 대전 유성구 가정로 ***(가정동, 한국표준과학연구원)
대리인 / 주소	문환구
심사청구여부	있음 (2021-12-02)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록

본 발명은 압입 리소그래피를 이용한 나노패터닝 수소센서 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 압입 리소그래피를 이용한 나노패터닝 수소센서 제조방법은 탐침형 원자 현미경으로 정확한 규격의 미세 나노패턴을 형성하여 높은 민감도의 수소센서를 경제적인 방법으로 제조할 수 있다.

대표청구항 ▼

압입 리소그래피를 이용한 나노패터닝 수소센서 제조방법으로, 상기 방법은:기판에 고분자층을 코팅하는 단계;상기 고분자층 상면에 마스크층을 코팅하는 단계;상기 마스크층 상면에 압입공정으로 복수개의 압흔을 형성하는 단계;상기 마스크층의 압입공정으로 형성된 압흔 위치에서만 하부의 나노몰드용 고분자층이 노출되도록 마스크층을 건식 식각하는 단계;상기 압흔 위치에서만 노출된 고분자층을 선택적으로 식각하여, 상기 압흔 위치에서 고분자층이 복수개의 항아리형상 공간을 형성하도록 습식 식각하여 나노 구조물을 제작하는 단계;상기 복수개의 항아리형상 공간이 형성된 구조물에 금속을 증착하는 단계;상기 복수개의 항아리형상 공간 중앙 부위 기판상에 형성된 금속 외 물질을 제거하는(lift-off) 단계; 상기 기판상에 형성된 금속 나노 패턴을 열처리(annealing)하는 단계; 및상기 열처리 공정을 마친 금속 나노 패턴이 형성된 기판위에 보호용 고분자층을 코팅하는 단계를 포함하고, 상기 압입공정은, 탐침형 원자힘현미경의 팁으로 상기 마스크층 상면을 압입하고 이를 반복하여 압흔을 형성하며,상기 압흔은 수소센서용 금속이 증착되어 나노 패턴이 형성되는 위치로, 필요에 따라 압입되는 모양, 위치, 크기를 조절하여 형성할 수 있는,압입 리소그래피를 이용한 나노패터닝 수소센서 제조방법.

이 특허에 인용된 특허 (3) 인용/피인용 타임라인 분석

[한국] 패턴 형성방법 | 정건영, 정희수, 송선식, 김은욱
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[한국] 광학용 기판의 제조방법 | 차혁진, 이헌, 최은서
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[한국] 탐침형 원자 현미경을 이용한 리소그래피 방법 | 신채호
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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