초록 ▼

본 발명은 평균 입경(D50)이 0.5 내지 3 ㎛인 거대 1차 입자가 2개 이상 응집되어 형성된 평균 입경(D50)이 1 내지 10 ㎛인 2차 입자; 및 상기 2차 입자의 표면에 형성되며, 리튬-금속 산화물로 된 코팅층을 포함하고, 상기 거대 1차 입자는 LiaNi1-b-c-dCobMncQdO2+δ (1.0≤a≤1.5, 0<b<0.2, 0<c<0.2, 0≤d≤0.1, 0<b+c+d≤0.2, -0.1≤δ≤1.0, Q은 Al, Mg, V, Ti 및 Zr으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 원소임)로

본 발명은 평균 입경(D50)이 0.5 내지 3 ㎛인 거대 1차 입자가 2개 이상 응집되어 형성된 평균 입경(D50)이 1 내지 10 ㎛인 2차 입자; 및 상기 2차 입자의 표면에 형성되며, 리튬-금속 산화물로 된 코팅층을 포함하고, 상기 거대 1차 입자는 LiaNi1-b-c-dCobMncQdO2+δ (1.0≤a≤1.5, 0<b<0.2, 0<c<0.2, 0≤d≤0.1, 0<b+c+d≤0.2, -0.1≤δ≤1.0, Q은 Al, Mg, V, Ti 및 Zr으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 원소임)로 표시되고, 상기 리튬-금속 산화물의 금속은 망간, 니켈, 바나듐 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속이고, 리튬 불순물의 함량이 0.25 중량% 이하인, 리튬 이차전지용 양극 활물질을 개시한다.

대표청구항 ▼

평균 입경(D50)이 0.5 내지 3 ㎛인 거대 1차 입자가 2개 이상 응집되어 형성된 평균 입경(D50)이 1 내지 10 ㎛인 2차 입자; 및 상기 2차 입자의 표면에 형성되며, 리튬-금속 산화물로 된 코팅층을 포함하고, 상기 거대 1차 입자는 LiaNi1-b-c-dCobMncQdO2+δ (1.0≤a≤1.5, 0<b<0.2, 0<c<0.2, 0≤d≤0.1, 0<b+c+d≤0.2, -0.1≤δ≤1.0, Q은 Al, Mg, V, Ti 및 Zr으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 원소임)로 표시되고,

평균 입경(D50)이 0.5 내지 3 ㎛인 거대 1차 입자가 2개 이상 응집되어 형성된 평균 입경(D50)이 1 내지 10 ㎛인 2차 입자; 및 상기 2차 입자의 표면에 형성되며, 리튬-금속 산화물로 된 코팅층을 포함하고, 상기 거대 1차 입자는 LiaNi1-b-c-dCobMncQdO2+δ (1.0≤a≤1.5, 0<b<0.2, 0<c<0.2, 0≤d≤0.1, 0<b+c+d≤0.2, -0.1≤δ≤1.0, Q은 Al, Mg, V, Ti 및 Zr으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 원소임)로 표시되고, 상기 리튬-금속 산화물의 금속은 망간, 니켈, 바나듐 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속이고,리튬 불순물의 함량이 0.25 중량% 이하인, 리튬 이차전지용 양극 활물질.