초록 ▼

분리막들, 전술된 분리막들을 포함하는 배터리들 및 커패시터들과 같은 고성능 전기화학적 디바이스들, 및 이를 제조하기 위한 시스템들 및 방법들이 제공된다.적어도 하나의 양상에서, 분리막이 제공된다.분리막은, 제1 표면 및 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 갖는, 이온들을 전도할 수 있는 중합체 기판을 포함한다.분리막은, 제1 표면 상에 형성되는, 이온들을 전도할 수 있는 제1 세라믹 함유 층을 더 포함한다.제1 세라믹 함유 층은, 약 1,000 나노미터 내지 약 5,000 나노미터 범위의 두께를 갖는다.분리막은, 제1 세라믹 함유 층

분리막들, 전술된 분리막들을 포함하는 배터리들 및 커패시터들과 같은 고성능 전기화학적 디바이스들, 및 이를 제조하기 위한 시스템들 및 방법들이 제공된다.적어도 하나의 양상에서, 분리막이 제공된다.분리막은, 제1 표면 및 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 갖는, 이온들을 전도할 수 있는 중합체 기판을 포함한다.분리막은, 제1 표면 상에 형성되는, 이온들을 전도할 수 있는 제1 세라믹 함유 층을 더 포함한다.제1 세라믹 함유 층은, 약 1,000 나노미터 내지 약 5,000 나노미터 범위의 두께를 갖는다.분리막은, 제1 세라믹 함유 층 상에 형성되는, 이온들을 전도할 수 있는 제2 세라믹 함유 층을 더 포함한다.제2 세라믹 함유 층은, 결합제가 없는 세라믹 함유 층이고 약 1 나노미터 내지 약 1,000 나노미터 범위의 두께를 갖는다.

대표청구항 ▼

분리막으로서,제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 갖는, 이온들을 전도할 수 있는 중합체 기판;상기 제1 표면 상에 형성되는, 이온들을 전도할 수 있는 제1 세라믹 함유 층 ― 상기 제1 세라믹 함유 층은 1,000 나노미터 내지 5,000 나노미터 범위의 두께를 가짐 ―; 및상기 제1 세라믹 함유 층 상에 형성되는, 이온들을 전도할 수 있는 제2 세라믹 함유 층 ― 상기 제2 세라믹 함유 층은, 결합제가 없는 세라믹 함유 층이고 1 나노미터 내지 1,000 나노미터 범위의 두께를 가짐 ― 을 포함하고,상기 제2 세

분리막으로서,제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 갖는, 이온들을 전도할 수 있는 중합체 기판;상기 제1 표면 상에 형성되는, 이온들을 전도할 수 있는 제1 세라믹 함유 층 ― 상기 제1 세라믹 함유 층은 1,000 나노미터 내지 5,000 나노미터 범위의 두께를 가짐 ―; 및상기 제1 세라믹 함유 층 상에 형성되는, 이온들을 전도할 수 있는 제2 세라믹 함유 층 ― 상기 제2 세라믹 함유 층은, 결합제가 없는 세라믹 함유 층이고 1 나노미터 내지 1,000 나노미터 범위의 두께를 가짐 ― 을 포함하고,상기 제2 세라믹 함유 층은 복수의 세라믹 기둥형 돌출부를 포함하고, 나노-다공성 구조는 상기 복수의 세라믹 기둥형 돌출부 사이에 형성되는, 분리막.