미야모토 유키노
/ 일본 도꾜도 지요다꾸 우찌사이와이쵸 *쵸메 *방 *고 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 지테키자이산부 나이
자이젠 요시아키
/ 일본 도꾜도 지요다꾸 우찌사이와이쵸 *쵸메 *방 *고 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 지테키자이산부 나이
오다 요시히코
/ 일본 도꾜도 지요다꾸 우찌사이와이쵸 *쵸메 *방 *고 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 지테키자이산부 나이
출원인 / 주소
제이에프이 스틸 가부시키가이샤 / 일본 도꾜도 지요다꾸 우찌사이와이쵸 *쵸메 *방 *고
대리인 / 주소
특허법인코리아나
심사청구여부
있음 (2021-10-14)
심사진행상태
등록결정(재심사후)
법적상태
등록
초록▼
저고주파 철손과 고자속 밀도를 양립시킨 무방향성 전기 강판을 제공한다. 내층부와, 상기 내층부의 양측에 형성된 표층부로 이루어지는 무방향성 전기 강판으로서, 상기 표층부 및 내층부가 특정한 성분 조성을 갖고, 상기 무방향성 전기 강판의 판두께 : t 가 0.01 ∼ 0.35 ㎜ 이고, 상기 t 에 대한 상기 표층부의 합계 두께 : t1 의 비율로서 정의되는 복층비 t1/t 가 0.10 ∼ 0.70 이고, 상기 표층부에 있어서의 Si 함유량 : [Si]1 과, 내층부에 있어서의 Si 함유량 : [Si]0 의 차 ([Si]1- [Si]
저고주파 철손과 고자속 밀도를 양립시킨 무방향성 전기 강판을 제공한다. 내층부와, 상기 내층부의 양측에 형성된 표층부로 이루어지는 무방향성 전기 강판으로서, 상기 표층부 및 내층부가 특정한 성분 조성을 갖고, 상기 무방향성 전기 강판의 판두께 : t 가 0.01 ∼ 0.35 ㎜ 이고, 상기 t 에 대한 상기 표층부의 합계 두께 : t1 의 비율로서 정의되는 복층비 t1/t 가 0.10 ∼ 0.70 이고, 상기 표층부에 있어서의 Si 함유량 : [Si]1 과, 내층부에 있어서의 Si 함유량 : [Si]0 의 차 ([Si]1- [Si]0) 로서 정의되는 ΔSi 가 1.0 ∼ 4.5 질량% 이고, 또한 판두께 중심 위치 (t/2) 에 있어서의 Mn 함유량 : [Mn]0 과, 상기 무방향성 전기 강판의 표면으로부터 깊이 (1/10)t 의 위치까지의 영역에 있어서의 평균 Mn 함유량 : [Mn]1 의 차 ([Mn]0 - [Mn]1) 로서 정의되는 ΔMn 이 0.01 ∼ 0.40 질량% 인, 무방향성 전기 강판.
대표청구항▼
내층부와, 상기 내층부의 양측에 형성된 표층부로 이루어지는 무방향성 전기 강판으로서,상기 표층부가, 질량% 로,Si : 2.5 ∼ 7.0 %,Mn : 0 % 초과 0.50 % 이하, 그리고P : 0.030 ∼ 0.100 %, Sn : 0.001 ∼ 0.10 %, 및 Sb : 0.001 ∼ 0.10 % 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 함유하고,잔부가 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 갖고,내층부가, 질량% 로,Si : 1.5 ∼ 4.0 %,Mn : 0.01 ∼ 0.50 %, 그리고P : 0.030 ∼
내층부와, 상기 내층부의 양측에 형성된 표층부로 이루어지는 무방향성 전기 강판으로서,상기 표층부가, 질량% 로,Si : 2.5 ∼ 7.0 %,Mn : 0 % 초과 0.50 % 이하, 그리고P : 0.030 ∼ 0.100 %, Sn : 0.001 ∼ 0.10 %, 및 Sb : 0.001 ∼ 0.10 % 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 함유하고,잔부가 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 갖고,내층부가, 질량% 로,Si : 1.5 ∼ 4.0 %,Mn : 0.01 ∼ 0.50 %, 그리고P : 0.030 ∼ 0.100 %, Sn : 0.001 ∼ 0.10 %, 및 Sb : 0.001 ∼ 0.10 % 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 함유하고,잔부가 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분 조성을 갖고,상기 무방향성 전기 강판의 판두께 : t 가 0.01 ∼ 0.35 ㎜ 이고,상기 t 에 대한 상기 표층부의 합계 두께 : t1 의 비율로서 정의되는 복층비 t1/t 가 0.10 ∼ 0.70 이고,상기 표층부에 있어서의 Si 함유량 : [Si]1 과, 내층부에 있어서의 Si 함유량 : [Si]0 의 차 ([Si]1 - [Si]0) 로서 정의되는 ΔSi 가 1.0 ∼ 4.5 질량% 이고, 또한판두께 중심 위치 (t/2) 에 있어서의 Mn 함유량 : [Mn]0 과, 상기 무방향성 전기 강판의 표면으로부터 깊이 (1/10)t 의 위치까지의 영역에 있어서의 평균 Mn 함유량 : [Mn]1 의 차 ([Mn]0 - [Mn]1) 로서 정의되는 ΔMn 이 0.01 ∼ 0.40 질량% 이고,상기 무방향성 전기 강판의 표면으로부터 판두께의 1/4 의 깊이의 면에 있어서의 방위 분포 함수의 Φ2 = 45°단면에 있어서, {111} 면 집적도에 대한 {100} 면 집적도의 비 {100}/{111} 이 0.55 ∼ 0.90 인 집합 조직을 갖는, 무방향성 전기 강판.
발명자의 다른 특허 :
연구과제 타임라인
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이 특허에 인용된 특허 (2)
[한국]
무방향성 고규소 강판 및 그 제조 방법 |
오쿠보 도모유키,
히라타니 다츠히코,
오다 요시히코,
나카지마 히로아키
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