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연합인증

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[한국특허] 양자 칩, 양자 프로세서, 및 양자 컴퓨터 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G06N-010/00
  • B82Y-010/00
출원번호 10-2021-7038029 (2021-11-22)
공개번호 10-2022-0031998 (2022-03-15)
우선권정보 중국(CN) 202010906492.6 (2020-09-01)
국제출원번호 PCT/CN2021/111184 (2021-08-06)
국제공개번호 WO 2022/048399 (2022-03-10)
번역문제출일자 2021-11-22
DOI http://doi.org/10.8080/1020217038029
발명자 / 주소
  • 화이, 싸이난 / 중국 ****** 광둥 선전 난산 디스트릭트 미드웨스트 디스트릭트 오브 하이테크 파크 커지중이 로드 텐센트 빌딩 **층
  • 저우, 위 / 중국 ****** 광둥 선전 난산 디스트릭트 미드웨스트 디스트릭트 오브 하이테크 파크 커지중이 로드 텐센트 빌딩 **층
  • 장, 전싱 / 중국 ****** 광둥 선전 난산 디스트릭트 미드웨스트 디스트릭트 오브 하이테크 파크 커지중이 로드 텐센트 빌딩 **층
  • 정, 야루이 / 중국 ****** 광둥 선전 난산 디스트릭트 미드웨스트 디스트릭트 오브 하이테크 파크 커지중이 로드 텐센트 빌딩 **층
  • 장, 원룽 / 중국 ****** 광둥 선전 난산 디스트릭트 미드웨스트 디스트릭트 오브 하이테크 파크 커지중이 로드 텐센트 빌딩 **층
  • 양, 추훙 / 중국 ****** 광둥 선전 난산 디스트릭트 미드웨스트 디스트릭트 오브 하이테크 파크 커지중이 로드 텐센트 빌딩 **층
  • 다이, 마오춘 / 중국 ****** 광둥 선전 난산 디스트릭트 미드웨스트 디스트릭트 오브 하이테크 파크 커지중이 로드 텐센트 빌딩 **층
  • 정, 이충 / 중국 ****** 광둥 선전 난산 디스트릭트 미드웨스트 디스트릭트 오브 하이테크 파크 커지중이 로드 텐센트 빌딩 **층
  • 장, 성위 / 중국 ****** 광둥 선전 난산 디스트릭트 미드웨스트 디스트릭트 오브 하이테크 파크 커지중이 로드 텐센트 빌딩 **층
출원인 / 주소
  • 텐센트 테크놀로지(센젠) 컴퍼니 리미티드 / 중국 ****** 광동 센젠 난산 디스트릭트 미드웨스트 디스트릭트 오브 하이-테크 파크 커지중이 로드 텐센트 빌딩 **층
대리인 / 주소
  • 양영준; 백만기
심사청구여부 있음 (2021-11-22)
법적상태 공개

초록 ▼

본 출원은, 양자 칩, 양자 프로세서, 및 양자 컴퓨터를 개시하며, 양자 기술의 분야에 관한 것이다.양자 칩은, 최하부 시트 및 최상부 시트를 포함한다.큐비트 어레이는 최상부 시트 상에 배열되고, 큐비트 어레이는 M개 행 × N개 열의 어레이 구조로 분포되는 복수의 큐비트들을 포함한다.큐비트의 상태 정보를 취득하도록 구성되는 판독 캐비티가 최하부 시트 상에 제공된다.최하부 시트는 최상부 시트에 전기적으로 연결된다.본 출원은, 한편으로는, 큐비트들 사이의 더 양호한 연결성을 제공하기 위해 M개 행 × N개 열의 표면 코드 구조를 채택

대표청구항

양자 칩으로서,최하부 시트 및 최상부 시트;상기 최상부 시트 상에 배열되는 큐비트 어레이 ― 상기 큐비트 어레이는 M개 행 × N개 열의 어레이 구조로 분포된 복수의 큐비트들을 포함하고, M 및 N은 둘 모두가 1보다 큰 정수들임 ―;상기 최하부 시트 상에 제공되는 판독 캐비티 ― 상기 판독 캐비티는 큐비트의 상태 정보를 취득하도록 구성됨 ― 를 포함하며,상기 최하부 시트와 상기 최상부 시트는 전기적으로 연결되는, 양자 칩.

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