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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-7041368 (2021-12-16) | |
공개번호 | 10-2022-0045107 (2022-04-12) | |
우선권정보 | 영국(GB) 1906926.9 (2019-05-16) | |
국제출원번호 | PCT/GB2020/051173 (2020-05-14) | |
국제공개번호 | WO 2020/229826 (2020-11-19) | |
번역문제출일자 | 2021-12-16 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020217041368 | |
발명자 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
광기전 디바이스는 PIN 구조를 포함하고, 여기서 p형 정공 수송층(2)은 기판(1) 및 페로브스카이트 층(3)에 의해 지지되고, n형 전자 수송층(4)은 p형 층 상에 순서대로 배치된다.n형 전자 수송층의 상면에는 수광 상면을 형성하는 투광성 도전층(9)이 제공된다. n형 전자 수송층과 투광성 도전층 사이에는 도전성 재료의 층(7)을 개재하는 2 개의 무기 전기 절연층(6, 8)을 포함하는 구조가 제공되고, 2 개의 무기 전기 절연층은 4.5 eV를 초과하는 띠틈을 갖는 재료를 포함하고, 도전성 재료의 층은 전기 절연층의 띠틈보다
p형 정공 수송층이 기판과 페로브스카이트 층(perovskite layer)에 의해 지지되고 n형 전자 수송층이 상기 p형 층 상에 순서대로 배치되는 PIN 구조, 및 n형 전자 수송층의 상면에 제공되어 수광 상면을 형성하는 투광성 도전층을 포함하는 광기전 디바이스로서,상기 n형 전자 수송층과 상기 투광성 도전층 사이에 도전성 재료의 층을 개재하는 2 개의 무기 전기 절연층을 포함하는 계면 구조가 제공되고, 상기 무기 전기 절연층은 4.5 eV를 초과하는 띠틈을 갖는 재료를 포함하고, 상기 도전성 재료의 층은 상기 전기 절연층의 띠
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