초록 ▼

본 출원에서는 실리콘 카바이드 소자를 개시하였다. 상기 실리콘 카바이드 기판 내에 위치하고, 교대로 이격되게 배치된 게이트 트렌치와 소스 트렌치; 게이트 트렌치에 위치하며 제1 절연층에 의해 제2 n형 실리콘 카바이드층과 격리되고, 제2 절연층에 의해 p형 실리콘 카바이드층과 제3 n형 실리콘 카바이드층과 격리되는 게이트; 소스 트렌치 내에 위치하고 p형 실리콘 카바이드층 및 제3 n형 실리콘 카바이드층과 연결되며 제3 절연층에 의해 소스 트렌치의 측벽위치에 위치하는 제2 n형 실리콘 카바이드층과 격리되는 소스; 제2 n형 실리콘

본 출원에서는 실리콘 카바이드 소자를 개시하였다. 상기 실리콘 카바이드 기판 내에 위치하고, 교대로 이격되게 배치된 게이트 트렌치와 소스 트렌치; 게이트 트렌치에 위치하며 제1 절연층에 의해 제2 n형 실리콘 카바이드층과 격리되고, 제2 절연층에 의해 p형 실리콘 카바이드층과 제3 n형 실리콘 카바이드층과 격리되는 게이트; 소스 트렌치 내에 위치하고 p형 실리콘 카바이드층 및 제3 n형 실리콘 카바이드층과 연결되며 제3 절연층에 의해 소스 트렌치의 측벽위치에 위치하는 제2 n형 실리콘 카바이드층과 격리되는 소스; 제2 n형 실리콘 카바이드층 내에 위치하고 소스 트렌치의 하부위치에 위치하며 소스 트렌치의 바닥부 위치에서 소스와 연결되는 p형 우물영역을 포함한다. 본 출원의 실리콘 카바이드 소자는 게이트가 파괴되는 위험을 감소시키고, 소자의 내전압을 향상시킨다.

대표청구항 ▼

실리콘 카바이드 기판, 게이트 트렌치와 소스 트렌치, 게이트, 소스 및 p형 우물영역을 포함하되,상기 실리콘 카바이드 기판은 순차적으로 적층된 제1 n형 실리콘 카바이드층, 제2 n형 실리콘 카바이드층, p형 실리콘 카바이드층 및 제3 n형 실리콘 카바이드층을 포함하고;상기 게이트 트렌치와 소스 트렌치는 상기 실리콘 카바이드 기판 내에 위치하고, 교대로 이격되게 배치되며, 상기 게이트 트렌치의 바닥부와 상기 소스 트렌치의 바닥부는 모두 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층 내에 위치하며;상기 게이트는 상기 게이트 트렌치 내에 위치하고,

실리콘 카바이드 기판, 게이트 트렌치와 소스 트렌치, 게이트, 소스 및 p형 우물영역을 포함하되,상기 실리콘 카바이드 기판은 순차적으로 적층된 제1 n형 실리콘 카바이드층, 제2 n형 실리콘 카바이드층, p형 실리콘 카바이드층 및 제3 n형 실리콘 카바이드층을 포함하고;상기 게이트 트렌치와 소스 트렌치는 상기 실리콘 카바이드 기판 내에 위치하고, 교대로 이격되게 배치되며, 상기 게이트 트렌치의 바닥부와 상기 소스 트렌치의 바닥부는 모두 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층 내에 위치하며;상기 게이트는 상기 게이트 트렌치 내에 위치하고, 상기 게이트는 제1 절연층에 의해 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층과 격리되고, 상기 게이트는 제2 절연층에 의해 상기 p형 실리콘 카바이드층 및 상기 제3 n형 실리콘 카바이드층과 격리되며;상기 소스는 상기 소스 트렌치 내에 위치하고, 상기 소스는 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층, 상기 p형 실리콘 카바이드층, 상기 제3 n형 실리콘 카바이드층에 위치하며, 상기 소스는 상기 p형 실리콘 카바이드층 및 상기 제3 n형 실리콘 카바이드층과 연결되고, 상기 소스는 제3 절연층에 의해 상기 소스 트렌치의 측벽에 위치하는 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층과 격리되고;상기 p형 우물영역은 상기 제2 n형 실리콘 카바이드층 내에 완전히 위치하고 상기 소스 트렌치의 바닥부의 하면에 위치하며, 상기 p형 우물영역과 상기 소스는 상기 소스 트렌치의 바닥부 위치에서 연결되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 소자.