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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-0003477 (2022-01-10) | |
공개번호 | 10-2022-0100545 (2022-07-15) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020210002838 (2021-01-08) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020220003477 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-01-10) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 공개 |
본 발명은, 결정립 장축 배향도 DoA가 0.5 ~ 1이고, 전자후방산란회절(Electron BackScatter Diffraction, EBSD) 분석을 통해 얻어진 결정립의 결정 격자의 c축 회전 벡터 Rc와 상기 결정립의 위치 단위 벡터 P'의 외적값으로 표시되는 결정립 c축 배향도가 0.5 미만인 결정립 C의 비율이 양극 활물질 입자 단면의 전체 결정립 중 25% 내지 70%인 양극 활물질과, 이를 포함하는 양극 및 리튬 이차 전지에 관한 것이다.
하기 [식 1]로 표시되는 결정립 장축 배향도 DoA가 0.5 ~ 1이고, 전자후방산란회절(Electron BackScatter Diffraction, EBSD) 분석을 통해 얻어진 결정립의 결정 격자의 c축 회전 벡터 Rc와 상기 결정립의 위치 단위 벡터 P'의 외적값으로 표시되는 결정립 c축 배향도가 0.5 미만인 결정립 C의 비율이 양극 활물질 입자 단면의 전체 결정립 중 25% 내지 70%인 양극 활물질.[식 1]상기 [식 1]에서, λ1은 상기 양극 활물질 단면을 주사이온현미경 분석하여 얻어진 이미지 데이터로부터 측정된 해
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