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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-0035396 (2022-03-22) | |
공개번호 | 10-2022-0131856 (2022-09-29) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020210036942 (2021-03-22) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020220035396 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-07-12) | |
법적상태 | 공개 |
본 발명은, 양극 활물질의 외부 영역에 결정립 장축 배향도(DoA)가 높고, 결정립의 c축 배향도가 낮은 결정립 C를 25% ~ 80%의 비율로 포함하여, 용량 특성이 높고, 가스 발생량이 적은 양극 활물질에 관한 것이다.
양극 활물질 입자의 중심에서 표면까지의 거리를 R 이라 할 때, 상기 양극 활물질 입자의 중심에서 R/2까지의 영역인 내부 영역과, R/2에서 양극 활물질 입자의 표면까지의 영역인 외부 영역을 포함하고, 상기 외부 영역의 전체 결정립 중 하기 [식 1]로 표시되는 결정립 장축 배향도 DoA가 0.5 ~ 1이고, 전자후방산란회절(Electron BackScatter Diffraction, EBSD) 분석을 통해 얻어진 결정립의 결정 격자의 c축 회전 벡터 Rc와 상기 결정립의 위치 단위 벡터 P'의 외적값으로 표시되는 결정립 c축 배
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