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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-0071317 (2022-06-13) | |
공개번호 | 10-2022-0086533 (2022-06-23) | |
등록번호 | 10-2575458-0000 (2023-09-01) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020220071317 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-06-13) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 기술은 이미지 센서에 관한 것으로, 실시예에 따른 이미지 센서는 제1도전층 상에 형성된 제2도전층을 포함하는 광전변환소자; 상기 제2도전층 상에 순차적으로 형성된 절연층 및 제3도전층; 상기 제3도전층 및 상기 절연층을 관통하여 상기 제2도전층을 노출시키는 오픈부; 상기 오픈부의 표면을 따라 형성되고, 서로 다른 도전형을 가지며, 상호 연결된 제1채널과 제2채널을 포함하는 채널층; 및 상기 채널층 상에 형성되어 상기 오픈부를 매립하고, 일부가 상기 제3도전층 상부에 형성된 전송 게이트를 포함할 수 있다.
제1도전층 상에 형성된 제2도전층을 포함하는 광전변환소자; 상기 제2도전층 상에 순차적으로 형성된 절연층 및 제3도전층;상기 제3도전층 및 상기 절연층을 관통하여 상기 제2도전층을 노출시키는 오픈부; 상기 오픈부의 표면을 따라 일정한 두께를 갖도록 형성된 채널층, 상기 채널층은 상호 연결된 제1채널과 제2채널을 포함하고; 및상기 채널층 상에 형성되어 상기 오픈부를 매립하고, 일부가 상기 제3도전층 상부에 형성된 전송 게이트를 포함하고,상기 제1채널은 P형 불순물이 도핑된 폴리실리콘을 포함하고,상기 제2채널은 진성 폴리실리콘 또는 N
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