초록

실리콘 기판에 대해 전처리를 수행하는 전처리 장치; 및 상기 실리콘 기판에 대해 질화 갈륨(GaN) 박막을 형성하는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장치;를 포함하는, GaN 시스템을 개시한다.

대표청구항 ▼

실리콘 기판에 대해 전처리를 수행하는 전처리 장치; 상기 실리콘 기판에 대해 질화 갈륨(GaN) 박막을 형성하는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장치; 및상기 전처리 장치에 의해 전처리 된 실리콘 기판에 열 클리닝을 수행하는 클리닝 장치;를 포함하고,상기 MOCVD 장치는,반응가스가 유입되어 반응하고 유출되는 챔버부; 상기 실리콘 기판이 상기 챔버부에 노출되도록 지지하는 지지부; 및상기 지지부에 열을 가하는 가열부;를 포함하고,상기 가열부는, 금속 재질의 열선을 사용하는 저항가열식

실리콘 기판에 대해 전처리를 수행하는 전처리 장치; 상기 실리콘 기판에 대해 질화 갈륨(GaN) 박막을 형성하는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장치; 및상기 전처리 장치에 의해 전처리 된 실리콘 기판에 열 클리닝을 수행하는 클리닝 장치;를 포함하고,상기 MOCVD 장치는,반응가스가 유입되어 반응하고 유출되는 챔버부; 상기 실리콘 기판이 상기 챔버부에 노출되도록 지지하는 지지부; 및상기 지지부에 열을 가하는 가열부;를 포함하고,상기 가열부는, 금속 재질의 열선을 사용하는 저항가열식 히터;를 포함하고,상기 지지부는,상기 챔버부의 내부에 구비되는 본체 플레이트;상기 본체 플레이트의 상부에 적어도 하나 배치되고, 상부에 상기 실리콘 기판이 장착되는 서셉터; 및상기 본체 플레이트의 중앙부를 지지하고, 상기 서셉터의 상부에 상기 실리콘 기판이 안착되는 경우, 상기 본체 플레이트를 상기 챔버부의 가스 유입구와 근접해지도록 승강시키는 승하강 모듈;을 포함하고,상기 승하강 모듈은,소정의 모터 작용에 의해 상하방향으로 연장되는 한 쌍의 승하강 기둥; 및상기 한 쌍의 승하강 기둥을 연결하는 승하강 플레이트;를 포함하고,상기 승하강 플레이트는,상기 승하강 플레이트의 중심 부분에 형성되고, 상기 본체 플레이트의 저면에 형성되는 탄성 링이 안착되는 안착 홈;을 포함하고,상기 승하강 모듈은,상기 본체 플레이트의 저면에 형성되어 상기 안착 홈에 안착되고, 상기 본체 플레이트가 상하방향으로 이동하는 경우, 진동을 흡수하는 탄성 링;을 더 포함하고,상기 MOCVD 장치는,상기 클리닝 장치에 의해 열 클리닝이 수행된 실리콘 기판의 상부에 Al 코팅층을 형성하고, 상기 Al 코팅층의 상부에 제1 질화 알루미늄층을 형성하고, 상기 제1 질화 알루미늄층의 상부에 에피 질화 갈륨층을 형성하고, 상기 에피 질화 갈륨층의 상부에 질화갈륨알루미늄층을 형성하고, 상기 질화갈륨알루미늄층의 상부에 상기 제1 질화 알루미늄층 보다 두껍게 제2 질화 알루미늄층을 형성하며, 상기 제2 질화 알루미늄층의 상부에 상기 질화 갈륨(GaN) 박막을 형성하는, GaN 시스템.