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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-0135838 (2022-10-20) | |
공개번호 | 10-2024-0055492 (2024-04-29) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020220135838 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-10-20) | |
법적상태 | 공개 |
일 실시예는 전극 적층체가 파우치 내의 엣지부에서 적층 방향의 중심선에 대하여 대칭 구조를 형성하는 전고체 전지에 관한 것으로서, 이 전고체 전지는, 양극극판과 고체전해질층 및 음극극판이 적층되는 전극 적층체, 상기 전극 적층체의 외곽에서 적층 방향으로 1쌍으로 제공되는 가스켓, 및 상기 전극 적층체의 양면 및 상기 가스켓의 양면에 제공되는 1쌍의 파우치 시트를 실링하여 형성되는 파우치를 포함하며, 상기 전극 적층체는 상기 가스켓 및 상기 파우치 내의 엣지부에서 적층 방향의 중심선에 대하여 제1대칭 구조를 형성한다.
양극극판과 고체전해질층 및 음극극판이 적층되는 전극 적층체;상기 전극 적층체의 외곽에서 적층 방향으로 1쌍으로 제공되는 가스켓; 및상기 전극 적층체의 양면 및 상기 가스켓의 양면에 제공되는 1쌍의 파우치 시트를 실링하여 형성되는 파우치를 포함하며,상기 전극 적층체는상기 가스켓 및 상기 파우치 내의 엣지부에서 적층 방향의 중심선에 대하여 상하 대칭인 제1대칭 구조를 형성하는, 전고체 전지.
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